时间：2025/6/3 23:09:24
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JANTXV1N6642US 是一款由 Vishay 提供的高压 N 沟道增强型 MOSFET 芯片，专为军用和航空航天应用设计。该器件具有出色的开关特性和低导通电阻，能够承受高达 650V 的漏源极电压。它适用于需要高可靠性和极端环境条件下的电路，例如电源管理、电机驱动和功率转换系统。
JANTXV 系列代表符合 MIL-PRF-19500 标准的 MOSFET，确保了其在恶劣环境中的稳定性和可靠性。
最大漏源电压：650V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：8A
导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω
功耗：175W
结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
1. 高电压耐受能力，支持高达 650V 的漏源电压。
2. 低导通电阻 (Rds(on))，减少功率损耗并提高效率。
3. 符合 MIL-PRF-19500 标准，具备卓越的可靠性和稳定性。
4. 支持高结温范围 (-55℃ 至 +175℃)，适应极端工作环境。
5. 快速开关特性，适合高频应用。
6. 高浪涌电流能力，增强对瞬态事件的抗扰性。
1. 军用和航空航天领域的电源管理系统。
2. 工业电机驱动与控制。
3. 高压 DC-DC 转换器和逆变器。
4. 开关电源 (SMPS) 和不间断电源 (UPS)。
5. 太阳能逆变器和储能系统的功率管理模块。
6. 极端环境下工作的电子设备，如石油勘探、气象监测等。
IRF6642,
Vishay SiHF6642,
BSC088N06NS3
