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JANTXV1N6642US 发布时间 时间:2025/6/3 23:09:24 查看 阅读:7

JANTXV1N6642US 是一款由 Vishay 提供的高压 N 沟道增强型 MOSFET 芯片,专为军用和航空航天应用设计。该器件具有出色的开关特性和低导通电阻,能够承受高达 650V 的漏源极电压。它适用于需要高可靠性和极端环境条件下的电路,例如电源管理、电机驱动和功率转换系统。
  JANTXV 系列代表符合 MIL-PRF-19500 标准的 MOSFET,确保了其在恶劣环境中的稳定性和可靠性。

参数

最大漏源电压:650V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:8A
  导通电阻(Rds(on)):0.45Ω
  功耗:175W
  结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

1. 高电压耐受能力,支持高达 650V 的漏源电压。
  2. 低导通电阻 (Rds(on)),减少功率损耗并提高效率。
  3. 符合 MIL-PRF-19500 标准,具备卓越的可靠性和稳定性。
  4. 支持高结温范围 (-55℃ 至 +175℃),适应极端工作环境。
  5. 快速开关特性,适合高频应用。
  6. 高浪涌电流能力,增强对瞬态事件的抗扰性。

应用

1. 军用和航空航天领域的电源管理系统。
  2. 工业电机驱动与控制。
  3. 高压 DC-DC 转换器和逆变器。
  4. 开关电源 (SMPS) 和不间断电源 (UPS)。
  5. 太阳能逆变器和储能系统的功率管理模块。
  6. 极端环境下工作的电子设备,如石油勘探、气象监测等。

替代型号

IRF6642,
  Vishay SiHF6642,
  BSC088N06NS3

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JANTXV1N6642US参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格150 : ¥76.43833散装
  • 系列Military, MIL-PRF-19500/578
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 技术标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)100 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)300mA
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.2 V @ 100 mA
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)20 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏500 nA @ 100 V
  • 不同?Vr、F 时电容-
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SQ-MELF,E
  • 供应商器件封装D-5B
  • 工作温度 - 结-65°C ~ 175°C