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2SK3450 发布时间 时间:2025/12/29 17:05:57 查看 阅读:16

2SK3450 是一款由东芝(Toshiba)公司生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效率、高频率切换的电源转换系统中,如DC-DC转换器、同步整流器以及电源管理模块。该器件采用高密度单元设计,具有低导通电阻和高耐压特性,使其在功率开关应用中表现优异。2SK3450 通常采用TO-220或类似封装形式,便于散热和安装。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极-源极击穿电压(Vds):60V
  栅极-源极电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):15A(在Tc=25°C)
  导通电阻(Rds(on)):30mΩ(典型值)
  最大功耗(Pd):75W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:TO-220

特性

2SK3450 具有极低的导通电阻(Rds(on)),这显著降低了导通损耗,提高了电源系统的效率。其高耐压能力(60V)使得该器件适用于中等功率的电源转换器和电机控制应用。此外,该MOSFET具备良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定运行,同时其快速开关特性有助于减少开关损耗,提高工作频率。该器件还具有较高的dv/dt耐受能力,增强了在高频开关环境下的可靠性。2SK3450 的封装设计具有良好的散热性能,有助于提高整体系统的稳定性和寿命。

应用

2SK3450 常用于各类功率电子设备中,包括DC-DC转换器、电源管理系统、负载开关、电机驱动电路、同步整流器以及各种高效率开关电源(SMPS)应用。其优异的导通特性和热稳定性也使其成为电池管理系统(BMS)、工业自动化设备和消费类电子产品的理想选择。

替代型号

Si4410DY-T1-GE3, IRFZ44N, FDP6670, 2SK3450可以用2SK3450L替代

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