您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > JANTXV1N6309CUS

JANTXV1N6309CUS 发布时间 时间:2025/7/25 21:12:33 查看 阅读:4

JANTXV1N6309CUS 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该器件属于功率MOSFET类别,广泛用于需要高效率和高可靠性的应用,例如电源管理、电机控制和工业自动化设备。JANTXV1N6309CUS 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,具有低导通电阻(RDS(on))、高功率密度和快速开关特性。该器件采用 TO-252(D-Pak)封装形式,适合表面贴装(SMT)工艺。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  最大漏极电流(ID):80A
  最大漏源电压(VDS):60V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻 RDS(on):最大 0.014Ω @ VGS=10V
  功耗(PD):225W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:TO-252(D-Pak)

特性

JANTXV1N6309CUS 具有出色的电气性能和热稳定性,适用于高电流和高频率应用。其低导通电阻 RDS(on) 可显著降低功率损耗,提高系统效率。此外,该器件的快速开关能力使其在高频开关电源和 DC-DC 转换器中表现出色。JANTXV1N6309CUS 的高耐压能力(60V)确保其在高压应用中的稳定性和可靠性。由于采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,该器件在高温环境下依然能够保持良好的性能。此外,该器件的 TO-252 封装提供了良好的热管理能力,有助于在高功率条件下保持较低的结温,从而延长器件的使用寿命。
  该器件的栅极驱动电压范围为 4.5V 至 10V,适用于多种驱动电路设计。其栅极电荷(Qg)较低,有助于减少开关损耗,提高整体效率。此外,JANTXV1N6309CUS 的短路耐受能力较强,能够在极端条件下提供额外的保护功能。该器件还具有较低的跨导(gfs),可有效减少开关过程中的振荡现象,提高系统的稳定性。
  在封装方面,TO-252(D-Pak)是一种小型化表面贴装封装,具有良好的散热性能,适合高密度 PCB 设计。这种封装形式不仅节省空间,还能简化制造流程,提高生产效率。

应用

JANTXV1N6309CUS 广泛应用于多个领域,包括但不限于:
  1. 电源管理:如 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关。
  2. 电机控制:适用于直流电机驱动器和步进电机控制器。
  3. 工业自动化:用于 PLC(可编程逻辑控制器)和工业电源模块。
  4. 电池管理系统:如电动工具、电动自行车和储能系统的电源开关。
  5. 汽车电子:用于车载充电器、电池管理系统(BMS)和电机驱动模块。
  6. 通信设备:如基站电源模块和路由器的电源管理电路。

替代型号

IRF1405, Si7461DP, FDS6680, IRLB8721, STP80NF55-08

JANTXV1N6309CUS推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

JANTXV1N6309CUS参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格100 : ¥435.97260散装
  • 系列Military, MIL-PRF-19500/533
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz)2.4 V
  • 容差±2%
  • 功率 - 最大值500 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt)30 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏100 μA @ 1 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.4 V @ 1 A
  • 工作温度-65°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SQ-MELF,B
  • 供应商器件封装B,SQ-MELF