时间：2025/8/12 5:05:04
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JANTX4N47是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于需要高电压和大电流的应用场合。该器件具有较高的导通性能和较低的导通电阻，适用于电源管理、电机控制和DC-DC转换等应用。其设计确保了在高温和高压条件下仍能保持稳定运行，是一款可靠性和耐用性俱佳的电子元件。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大漏极电流(Id)：1.7A
导通电阻(Rds(on))：4.5Ω @ Vgs=10V
栅极电压(Vgs)：±20V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-92
JANTX4N47具有出色的导通特性和较低的导通损耗，这使其在高频开关应用中表现出色。由于其低栅极电荷，器件在开关过程中所需的驱动能量较少，从而提高了整体系统的效率。此外，该MOSFET具备较高的热稳定性和抗过载能力，能够在恶劣的工作环境下保持可靠性。其TO-92封装设计使其便于安装和散热管理，适用于多种电路设计需求。
JANTX4N47的漏极-源极电压额定值为60V，使其适用于中等功率的电源转换应用。该器件的高栅极电压额定值（±20V）提供了更大的设计灵活性，允许在较高的栅极驱动电压下工作，从而进一步降低导通电阻。此外，该MOSFET具有良好的抗静电能力，有助于防止在操作过程中受到静电放电（ESD）损害。
在温度特性方面，JANTX4N47能够在-55°C至+175°C的宽温度范围内稳定工作，非常适合在极端环境条件下使用的设备。这种宽温度范围也使其在军事、航空航天及工业控制等高要求的应用中具备出色的性能表现。
JANTX4N47常用于电源开关、DC-DC转换器、负载开关、电机控制电路以及电池管理系统中。其高可靠性和宽温度范围使其在航空航天、军事电子、工业自动化和汽车电子等对稳定性要求极高的领域得到广泛应用。此外，该MOSFET也可用于各种低功耗、高效率的便携式电子产品中，如智能电表、传感器控制模块和嵌入式系统等。
2N4393, IRFZ44N, 2N7002, FQP30N06L
