时间：2025/5/29 9:58:06
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JANTX2N6798 是一种高性能的 N 沟道硅功率场效应晶体管 (MOSFET)，常用于高可靠性要求的军事和航空航天领域。该器件采用 TO-3 封装形式，能够承受较高的电压和电流，同时具有较低的导通电阻。其主要功能是作为开关效率和可靠性的应用场景。
该型号属于军用级产品，经过严格的筛选和测试以确保在极端温度范围内的稳定性和可靠性。
最大漏源电压：100V
最大漏极电流：40A
功耗：125W
栅极阈值电压：3V~8V
导通电阻：0.045Ω
结温范围：-55℃~+175℃
JANTX2N6798 具有以下显著特性：
1. 军用级品质，能够在极端环境下保持高可靠性。
2. 高耐压能力，适合高压电路应用。
3. 较低的导通电阻，减少功率损耗并提高效率。
4. 适用于高频开关应用，支持快速切换。
5. 符合 MIL-PRF-19500 标准，保证了在高温、低温以及振动环境下的稳定性。
6. TO-3 封装便于散热处理，适用于大功率场景。
JANTX2N6798 主要应用于以下领域：
1. 军事和航空航天电子设备中的电源管理模块。
2. 工业控制设备中的功率转换电路。
3. 大功率电机驱动器和逆变器。
4. 高效 DC-DC 转换器和开关电源设计。
5. 高频放大器和其他需要高可靠性和高效能的场景。
2N6798, IRF840
