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JANTX2N6766 发布时间 时间:2025/5/13 16:44:15 查看 阅读:16

JANTX2N6766 是一种军用级别的 N 没有 P 型硅开关晶体管,设计用于需要高可靠性和耐极端环境的应用场合。该器件适用于高频、高速切换和放大电路中,具有良好的电气性能和稳定性。
  JANTX2N6766 符合美国军用标准 MIL-STD-750 和 MIL-STD-883,能够在恶劣的温度范围(-55°C 至 +125°C)内正常工作,同时具备抗辐射特性,广泛应用于设备中。

参数

类型:NPN
  集电极-发射极电压(Vce):80V
  集电极电流(Ic):0.4A
  功率耗散(Ptot):625mW
  增益带宽积:2GHz
  最大工作频率(Ft):1.5GHz
  结温范围:-55°C 至 +125°C

特性

JANTX2N6766 的主要特性包括:
  1. 高频性能:其高达 1.5GHz 的最大工作频率使其非常适合射频和微波应用。
  2. 军用级别可靠性:符合 MIL-STD 标准,确保在极端条件下的稳定运行。
  3. 抗辐射能力:能够抵抗宇宙射线和其他辐射源的影响,适合航天器和卫星使用。
  4. 小信号处理能力:低噪声和快速响应时间使其成为小信号放大的理想选择。
  5. 稳定性:即使在高温或低温环境下,也能保持较高的性能一致性。

应用

JANTX2N6766 广泛应用于以下领域:
  1. 航空航天:包括卫星通信系统、雷达装置和导航仪器。
  2. 军事电子:如导弹制导系统、无线通讯设备和电子对抗装备。
  3. 工业控制:用于高频驱动器和精密传感器接口。
  4. 医疗设备:如超声波成像仪中的信号放大模块。
  5. 实验室仪器:例如高频信号发生器和示波器中的核心元件。

替代型号

2N6766, MJANTX2N6766

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JANTX2N6766参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列Military, MIL-PRF-19500/543
  • 包装散装
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)30A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)90 毫欧 @ 30A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)115 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)-
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)4W(Ta),150W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-3
  • 封装/外壳TO-204AE