LG5110 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的高压 MOSFET 驱动器芯片,主要用于功率转换和电机驱动等应用领域。该芯片能够在高电压环境下可靠运行,同时提供快速的开关性能和低功耗特性。
LG5110 内部集成了一个高性能的推挽式输出级,可以驱动 N 沟道或 P 沟道 MOSFET 的栅极。其设计能够支持高达 600V 的工作电压,并且具备短路保护和热关断功能以提高系统的可靠性。
供电电压:8V 至 600V
输入阈值电压(典型值):1.4V
峰值输出电流:±2A
传播延迟时间:80ns(典型值)
工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
封装形式:SOIC-8
LG5110 提供了多种关键特性和优势,使其成为许多高压应用的理想选择:
1. 高达 600V 的宽输入电压范围,适用于各种工业和汽车场景。
2. 内置短路保护机制,确保在异常情况下不会损坏芯片。
3. 热关断功能,在过热条件下自动关闭输出以保护电路。
4. 超低传播延迟时间(80ns 典型值),适合高速开关应用。
5. 可驱动大容量 MOSFET 栅极,支持高达 ±2A 的峰值输出电流。
6. 工作温度范围广,适应恶劣环境条件下的稳定运行。
7. 小巧的 SOIC-8 封装,节省 PCB 空间并简化布局设计。
LG5110 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 中的 MOSFET 驱动。
2. 电机驱动和逆变器控制中的功率级管理。
3. 工业自动化设备中的功率开关。
4. 电动车窗、电动座椅等汽车电子系统中的负载切换。
5. LED 驱动器和其他需要高效功率传输的应用。
由于其高电压耐受能力和快速响应速度,LG5110 成为这些应用中不可或缺的核心组件。
FAN7382, SI9126-D, IR2110