时间：2025/9/2 16:40:31
阅读：4
JANTX2N5533 是一款由多家制造商生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于高频开关电源、功率放大器以及电机控制等应用中。该器件具备高击穿电压和较大的连续漏极电流能力，适用于需要高效率和高可靠性的电路设计。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压 Vds：250 V
栅源电压 Vgs：±30 V
连续漏极电流 Id：4 A
功耗 Pd：90 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
JANTX2N5533 MOSFET 具有高电压耐受能力，漏源电压可达到 250 V，使其适合用于高电压环境下的开关应用。其栅源电压为 ±30 V，具备良好的栅极保护能力，降低了栅极击穿的风险。该器件的连续漏极电流为 4 A，能够满足大多数中等功率应用的需求。此外，其最大功耗为 90 W，支持在高负载条件下长时间运行而不会出现过热问题。
JANTX2N5533 还具有优异的热稳定性和可靠性，能够在极端温度条件下工作，适用温度范围从 -55°C 到 +175°C。这种特性使其成为航空航天、军事设备和工业控制系统等高可靠性应用中的理想选择。此外，该 MOSFET 的封装设计支持良好的散热性能，有助于提高整体系统的稳定性。
该器件采用 TO-205（金属封装）形式，具备良好的机械强度和热传导性能，适用于各种焊接工艺，并能在恶劣环境中保持稳定运行。其高频特性也使其适用于 RF 功率放大器等应用。
JANTX2N5533 广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动器、功率放大器以及工业控制系统等场景。由于其高可靠性和耐高温特性，该器件也常用于航空航天、军事电子设备和通信系统中。此外，该 MOSFET 在 UPS（不间断电源）、逆变器和高频变换器中也有广泛应用。
IRF540N, 2N6756, JANTX2N5532
