类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：30A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.035Ω（典型值）
　　最大功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-204AA（金属封装）
　　晶体管配置：单个晶体管

JANTX2N4939 MOSFET具有多个关键特性，使其适用于高要求的电源管理应用。首先，其高漏源电压额定值（100V）和大漏极电流能力（30A）允许其在高压和高电流环境中运行，适用于广泛的电源转换系统。
　　其次，该器件具有非常低的导通电阻（Rds(on)），约为0.035Ω，这有助于减少导通损耗，提高能效，尤其适用于高频率开关应用。此外，其金属封装（TO-204AA）提供良好的散热性能，支持在高功率条件下稳定运行。
　　JANTX系列器件符合军用标准（MIL-PRF-19500），具备高可靠性和耐久性，能够在极端温度和机械应力条件下保持稳定性能。这使其成为航空航天、军事设备、工业控制系统和高可靠性电力电子设备中的理想选择。
　　最后，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（通常为±20V），允许使用多种驱动电路，提高了其在不同应用场景中的灵活性。

JANTX2N4939 MOSFET广泛应用于高可靠性电子系统，例如军事和航空航天领域的电源供应器、DC-DC转换器、电机驱动器和电池管理系统。在工业自动化和控制系统中，该器件用于高效率的功率开关电路，以实现对电机、继电器和电磁阀的精确控制。此外，该MOSFET也适用于需要高效能和高稳定性的电信基础设施设备，如服务器电源、UPS不间断电源系统和储能管理系统。其金属封装结构还使其适用于需要良好散热性能的高功率LED照明系统和太阳能逆变器。

IRF1405, IXFH30N100P, FDPF4939