类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：100V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　漏极电流(Id)：11A（最大值）
　　导通电阻(Rds(on))：0.35Ω（最大值）
　　功耗(Pd)：100W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：TO-205金属封装

JANTX2N4030具备多个关键特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其漏源电压(Vds)为100V，能够承受较高的电压应力，适用于中高压功率转换场合。其次，最大漏极电流为11A，足以支持大电流负载的应用需求，例如电机驱动和开关电源。导通电阻(Rds(on))最大为0.35Ω，较低的导通电阻可以减少导通损耗，提高系统效率，降低发热，从而延长器件的使用寿命。
　　JANTX2N4030的栅源电压(Vgs)为±20V，提供较高的栅极驱动容限，有助于防止栅极击穿并提高操作的稳定性。此外，该器件的功耗(Pd)为100W，配合TO-205金属封装的良好散热性能，使其在高功率环境下也能保持稳定的运行。工作温度范围为-55°C至+175°C，表明其具备优良的环境适应能力，适合在极端温度条件下使用，例如航空航天和军事电子设备。
　　TO-205金属封装不仅提供良好的散热性能，还增强了器件的机械强度和耐用性，特别适合需要高可靠性的应用。此外，JANTX2N4030具备快速开关能力，有助于减少开关损耗，提高整体系统效率，这在高频应用中尤为重要。

JANTX2N4030常用于电源管理和功率转换系统，例如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器以及电池管理系统。它在电机控制电路中也广泛应用，用于驱动直流电机或步进电机，提供高效、可靠的开关控制。此外，该器件可用于逆变器和不间断电源(UPS)等应用，确保电力系统的稳定运行。由于其高可靠性和宽温度范围，JANTX2N4030也适用于航空航天、军工设备和工业自动化等对环境适应性和稳定性要求较高的场合。

IRF540, IRFZ44N, 2N6782, FDPF10N10