时间：2025/8/6 8:07:30
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IXTA80N12T2是一款由IXYS公司制造的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高电流、高效率的功率转换应用。该器件采用TO-220封装形式，具备低导通电阻和快速开关特性，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及各种高功率电子系统。IXTA80N12T2的最大漏源电压（VDS）为120V，连续漏极电流（ID）可达80A，是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET。
最大漏源电压（VDS）：120V
最大栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）@TC=25℃：80A
脉冲漏极电流（IDM）：320A
导通电阻（RDS(on)）：最大8.0mΩ @VGS=10V
栅极电荷（QG）：典型值220nC
输入电容（Ciss）：典型值2900pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-220AB
IXTA80N12T2具有多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高整体系统的效率。其次，该MOSFET采用了先进的沟槽式技术，使得在高频开关应用中仍能保持良好的性能，减少开关损耗。此外，IXTA80N12T2具有高雪崩能量承受能力，增强了器件在极端工作条件下的稳定性与可靠性。该器件还具备快速恢复的内部体二极管，适用于需要反向电流恢复的应用场景。最后，其TO-220封装不仅便于散热，也易于集成到标准PCB布局中，适用于各种工业级和汽车级应用。
IXTA80N12T2广泛应用于各类高功率电子系统中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动与控制电路、逆变器、电池管理系统（BMS）、UPS不间断电源、LED照明驱动电路以及电动汽车充电设备等。由于其高电流能力和良好的热稳定性，该MOSFET也常用于需要高效率和高可靠性的工业自动化控制设备及电源管理系统。
IRF3710, IXTK80N12T, STP80NF12, FDP80N12A
