类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大漏极电流（ID）：10A（连续）
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.4Ω（典型值）
　　功耗（PD）：60W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-205AD（TO-39）

JANTX2N3821具有多项优异的电气和物理特性，适用于多种高可靠性应用场景。首先，其最大漏源电压可达100V，漏极电流可达10A，能够在中高功率应用中稳定运行。此外，导通电阻RDS(on)较低，有助于降低导通损耗，提高能效。该器件还具备较高的栅极阈值电压稳定性，确保在各种工作条件下可靠开启与关闭。
　　该MOSFET采用JANTX级别的封装标准，代表其符合美国军用规格（MIL-PRF-19500），具有极高的可靠性和环境适应性。其工作温度范围为-55°C至+175°C，适合在极端温度环境下运行。此外，TO-205AD封装具有良好的散热性能，有助于提高器件在高功率应用中的稳定性。
　　JANTX2N3821的开关速度较快，能够满足高频开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用的需求。同时，其具备较高的短路和过载耐受能力，适合用于要求高稳定性的工业和军事设备中。

JANTX2N3821广泛应用于多个高可靠性领域，包括但不限于：
　　1. **电源管理**：如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关等，利用其低导通电阻和高开关速度提高电源转换效率。
　　2. **电机控制**：在无刷直流电机（BLDC）、步进电机和伺服电机的驱动电路中，作为功率开关器件使用。
　　3. **军事与航空航天**：由于其符合JANTX标准，适用于雷达、通信设备、导航系统和航天器电源系统等高可靠性需求的场合。
　　4. **工业自动化**：用于PLC控制模块、工业逆变器和传感器供电电路中，提供稳定高效的功率控制解决方案。
　　5. **汽车电子**：用于汽车电子控制系统、电动助力转向（EPS）系统和车载电源管理模块。

2N6756, IRF540N, JANTX2N6756