类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：16A
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.045Ω（典型值）
　　功耗（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220

JANTX2N3501A具有多个高性能特性，确保其在高要求应用中的可靠性和效率。
　　首先，该MOSFET的导通电阻非常低，典型值为0.045Ω，有助于减少导通损耗，提高电源转换效率，并降低温升，从而延长器件和系统的使用寿命。
　　其次，JANTX2N3501A的最大漏极电流可达16A，最大漏源电压为100V，具备较强的电流承载能力和电压耐受性，适合用于中高功率的开关电源和电机控制电路。
　　此外，该器件采用TO-220封装，具备良好的散热性能，有助于在高负载条件下维持稳定的工作状态，同时便于安装在散热片上以进一步提升热管理能力。
　　该MOSFET的栅源电压范围为±20V，具备较强的栅极驱动兼容性，适用于多种控制电路和驱动芯片。
　　JANTX2N3501A符合JANTX标准，意味着其设计和制造过程满足军用级别的质量与可靠性要求，适用于极端环境下的关键任务应用，如航空航天、军工设备和工业控制系统。
　　最后，该器件具备快速开关特性，适用于高频开关应用，进一步提升系统的整体效率和响应速度。

JANTX2N3501A广泛应用于对可靠性和性能有较高要求的电子系统中。
　　其主要应用之一是开关电源（SMPS），包括AC-DC转换器和DC-DC转换器，利用其低导通电阻和高电流能力，实现高效、紧凑的电源设计。
　　在电机控制和驱动电路中，该MOSFET可用于H桥结构，驱动直流电机或步进电机，适用于工业自动化、机器人和电动工具等领域。
　　此外，JANTX2N3501A也适用于电池管理系统（BMS），用于充放电控制和电池保护电路，特别是在高功率电池组中，如电动车、储能系统和不间断电源（UPS）设备。
　　在太阳能逆变器和风力发电系统中，该器件可用于功率转换和能量管理，提高系统的整体效率和稳定性。
　　由于其符合JANTX标准，JANTX2N3501A还被广泛用于军事和航空航天领域的电源模块、通信设备和导航系统中，确保在极端温度和振动环境下仍能稳定运行。
　　其他应用包括LED驱动器、电源分配系统、测试设备和工业自动化控制系统。

IRFZ44N, FDPF085N10A, STP16NF10, FQP16N10, NTD16N10L