时间：2025/7/9 15:56:38
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FQT4N20L是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于开关和功率管理应用。该器件采用TO-252封装形式，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适合于需要高效能和高可靠性的电路设计。其典型应用场景包括DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电源管理模块等。
最大漏源电压：200V
最大连续漏极电流：1.7A
导通电阻（Rds(on)）：6.5Ω（在Vgs=10V时）
栅极阈值电压：2V~4V
总功耗：190mW
工作结温范围：-55℃~150℃
FQT4N20L具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，可有效降低功率损耗并提高效率。
2. 高耐压性能，支持高达200V的漏源电压，使其适用于高压环境。
3. 小型化TO-252封装设计，节省PCB空间。
4. 较宽的工作温度范围，能够适应恶劣的工作条件。
5. 快速开关速度，减少开关损耗并提升系统响应时间。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
FQT4N20L主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的高频开关元件。
2. DC-DC转换器的核心功率开关。
3. 各种负载开关和保护电路。
4. 汽车电子设备中的继电器替代方案。
5. 小型电机驱动和控制电路。
6. LED驱动电路及背光调节模块。
FQD17N20L, FQR17N20C
