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JANTX1N6058A 发布时间 时间:2025/9/3 21:42:47 查看 阅读:7

JANTX1N6058A 是一种金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),主要用于高电压和高功率的应用。该器件属于增强型N沟道MOSFET,具有优异的导通电阻和快速开关特性,适合在高温和高可靠性环境中使用。其设计符合军用标准(JANTX等级),适用于军事、航空和工业控制等关键领域。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):250V
  最大漏极电流(ID):4A
  导通电阻(RDS(on)):典型值为0.25Ω
  栅极电荷(Qg):典型值为23nC
  最大功耗(PD):70W
  工作温度范围:-55°C至+175°C

特性

JANTX1N6058A 具有多个显著的性能特点。首先,其高耐压能力使其适用于250V的工作电压环境,适用于电源转换和高压控制应用。其次,该MOSFET的导通电阻较低(典型值0.25Ω),从而减少了导通损耗,提高了整体效率。此外,该器件的开关速度快,栅极电荷较低(23nC),有助于降低开关损耗,提高系统响应速度。
  该器件采用TO-220封装,具备良好的散热性能,适用于需要高功率处理能力的场景。JANTX1N6058A 还具有良好的热稳定性和抗浪涌能力,使其能够在苛刻的环境条件下可靠运行。其军用级设计确保了在极端温度和振动条件下的稳定性能,适用于航空航天、军事电子和高可靠性工业设备。
  此外,该MOSFET的封装形式支持通孔安装,便于在PCB设计中使用,并具备较高的机械强度和长期稳定性。其设计符合RoHS标准,适用于现代环保电子产品的制造。

应用

JANTX1N6058A 广泛应用于多个高可靠性领域。在军事和航空航天领域,它被用于电源管理模块、电机驱动系统和高可靠性开关电路。在工业控制方面,该器件适用于自动化设备、伺服电机驱动器和工业电源转换器。此外,它还可用于通信设备中的DC-DC转换器和UPS(不间断电源)系统中的功率开关电路。
  由于其优异的高温稳定性和低导通电阻,JANTX1N6058A 也常用于新能源系统,如太阳能逆变器和储能系统的功率控制部分。在测试设备和测量仪器中,该MOSFET可作为高精度开关使用,确保设备在高压和高电流条件下的稳定运行。

替代型号

STP4NK25Z, IRF630, FDPF6N25, 2SK2647

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JANTX1N6058A参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格100 : ¥685.55980散装
  • 系列Military, MIL-PRF-19500/507
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 类型齐纳
  • 单向通道-
  • 双向通道1
  • 电压 - 反向断态(典型值)53V
  • 电压 - 击穿(最小值)58.9V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)85V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs)17.7A
  • 功率 - 峰值脉冲1500W(1.5kW)
  • 电源线路保护
  • 应用通用
  • 不同频率时电容-
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳DO-13
  • 供应商器件封装DO-13(DO-202AA)