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JANSR2N7269 发布时间 时间:2025/12/26 20:27:00 查看 阅读:6

JANSR2N7269是一款军用级双极性结型晶体管(BJT),属于美国军用标准(MIL-STD)认证的高可靠性元器件系列。该器件通常用于极端环境下的关键电子系统,例如航空航天、国防系统、卫星通信以及深空探测任务。作为JAN(Joint Army-Navy)规格的一部分,JANSR2N7269符合严格的制造、测试和质量控制流程,确保其在高温、低温、辐射和剧烈振动等恶劣条件下的长期稳定性和可靠性。该晶体管为PNP型结构,常用于低噪声放大、开关控制和功率调节等应用。由于其高可靠性和一致性,JANSR2N7269被广泛应用于需要长寿命和零故障运行的系统中。该器件通常采用金属密封封装(如TO-39或类似),以提供优良的热稳定性和抗环境应力能力。此外,JANSR2N7269在生产过程中需通过100%的参数测试和筛选,包括温度循环、恒定加速度、机械冲击和内部水汽含量测试等,确保每一颗器件都满足军用标准要求。

参数

型号:JANSR2N7269
  类型:PNP双极性晶体管
  最大集电极-发射极电压(VCEO):60 V
  最大集电极电流(IC):500 mA
  最大功耗(PD):1.5 W
  直流电流增益(hFE):50 至 300(典型值)
  过渡频率(fT):150 MHz
  工作结温范围(TJ):-65°C 至 +200°C
  封装形式:TO-39 金属封装
  可靠性等级:JANTXV、JANS 或更高
  测试标准:MIL-PRF-19500

特性

JANSR2N7269的核心优势在于其卓越的环境适应性和长期稳定性。该器件采用高纯度半导体材料和先进的晶圆制造工艺,确保载流子迁移率和掺杂均匀性达到最优水平。其PNP结构设计优化了基区宽度和掺杂梯度,从而在保持高击穿电压的同时实现较高的电流增益和频率响应。在高频性能方面,150MHz的过渡频率使其能够胜任射频小信号放大任务,尤其适用于低功率射频前端模块。器件的金属封装不仅提供了良好的散热性能,还具备优异的电磁屏蔽能力,减少外部干扰对信号的影响。更重要的是,JANSR2N7269经过严格的军用筛选流程,包括老炼试验(Burn-in)、温度循环、密封性测试(细检漏和粗检漏)以及粒子碰撞噪声检测(PIND),确保无微粒污染和内部松动结构,极大降低了现场失效风险。
  该晶体管的工作结温范围从-65°C到+200°C,使其能够在极寒的太空环境或高温发动机舱内正常工作。其热稳定性得益于低热阻封装设计和材料匹配良好的热膨胀系数,避免因温度突变导致的开裂或脱层。此外,JANSR2N7269具有出色的抗辐射能力,能够在高能粒子辐照环境下维持电气参数的稳定性,适合用于低轨道卫星和核反应堆监测系统。所有器件均来自经认证的生产线,并附带完整的可追溯性文档,支持批次追踪和失效分析。其电气参数在极端温度下仍保持高度一致性,减少了系统设计中的安全裕量需求,提高了整体效率和可靠性。

应用

JANSR2N7269主要应用于对可靠性要求极高的军事与航天电子系统。在雷达系统中,它可用于前置放大器或本振缓冲级,提供低噪声和稳定的增益特性。在卫星通信设备中,该晶体管可用于上行链路信号调理电路或遥测数据放大模块,确保在轨运行期间的信号完整性。此外,在导弹制导系统、飞行控制系统和航空电子设备中,JANSR2N7269常被用于电源管理单元中的稳压控制或逻辑驱动开关电路,保障关键任务的连续执行。其高温度耐受性也使其适用于喷气发动机监控传感器接口电路,能在高温环境中长期稳定工作。在深空探测任务中,由于缺乏维修可能,元器件必须具备超长寿命和抗辐射能力,JANSR2N7269正是此类应用的理想选择。此外,部分高端科研设备,如粒子加速器控制系统和天文观测仪器,也会选用该器件以确保数据采集的准确性与系统的鲁棒性。

替代型号

JANTX2N7269
  JANTXV2N7269
  JANS2N7269
  2N7269SC

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JANSR2N7269参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列Military, MIL-PRF-19500/603
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)26A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)12V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)110 毫欧 @ 26A,12V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)170 nC @ 12 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)-
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)150W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-254AA
  • 封装/外壳TO-254-3,TO-254AA(直引线)