时间：2025/6/27 5:30:31
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ESD11D5.0T5G是一种专为高速数据线设计的多通道TVS（瞬态电压抑制）二极管阵列，主要用于保护电子设备免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和其他瞬态过压事件的影响。该器件具有低电容特性，能够确保在高频应用中保持信号完整性。其封装形式为DFN，适合表面贴装技术（SMT），广泛应用于消费类电子产品、通信设备和工业控制领域。
工作电压：5V
峰值脉冲电流：±10A
箝位电压：7.4V
电容：0.6pF
响应时间：<1ns
结电容：0.35pF
漏电流：1nA（最大值，@VRWM=6V）
封装：DFN5
工作温度范围：-55℃至+150℃
ESD11D5.0T5G具备低负载电容和快速响应时间，使其非常适合高速数据接口的保护需求。
它能够承受IEC61000-4-2标准定义的±15kV接触放电和±30kV空气放电的ESD冲击。
此外，其高浪涌能力可有效抵御重复性的瞬态过压威胁。
由于采用了无铅且符合RoHS标准的DFN封装，该器件还满足环保要求。
它的低泄漏电流和精确的工作电压范围保证了系统在正常运行状态下的稳定性和可靠性。
ESD11D5.0T5G适用于各种需要ESD保护的应用场景，例如USB 2.0/3.0端口、HDMI接口、以太网线路、蓝牙模块以及其他高速数字信号传输路径。
它可以集成到智能手机、平板电脑、笔记本电脑、电视、机顶盒及网络交换机等设备中。
同时，也常用于工业自动化系统的传感器连接线和通信链路防护。
ESD11D5.0SP5G
TPD2E001
SP1012
PESD5V0S1B
