时间：2025/7/26 6:24:54
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JANS1N5811是一款由Microsemi（现为L3Harris Technologies的一部分）生产的肖特基二极管，属于军用级（MIL-PRF-19500/522）认证的高速开关二极管。该器件以其低正向压降、高开关速度和良好的热稳定性而著称，适用于需要快速响应和高可靠性的电路设计。JANS1N5811常用于电源管理、DC-DC转换器、极性保护电路、高频整流和信号检波等应用场合。
类型：肖特基二极管
最大正向电流（IF）：1A
最大反向电压（VR）：40V
正向压降（VF）：典型值0.375V（@1A）
反向漏电流（IR）：最大100μA（@40V，25℃）
工作温度范围：-55℃ ~ +125℃
封装形式：DO-204AC（DO-41）
安装方式：通孔（Through Hole）
结电容（Cj）：约20pF（@0V，1MHz）
恢复时间（trr）：非常短，典型值小于10ns
JANS1N5811肖特基二极管具有多个关键特性，使其在高性能和高可靠性应用中表现出色。首先，其低正向压降（通常为0.375V）显著减少了功率损耗，提高了能源效率。相比于传统硅二极管的0.7V压降，这一特性使得JANS1N5811非常适合用于需要高效能的电源转换和管理电路中。此外，JANS1N5811的高开关速度和极短的反向恢复时间（trr < 10ns）使其适用于高频整流和快速开关应用，如DC-DC转换器和脉冲宽度调制（PWM）电路。
该器件还具有良好的热稳定性和高可靠性，符合MIL-PRF-19500军用标准，适合在极端环境条件下使用，如航空航天、军事装备和工业控制系统。其工作温度范围为-55℃至+125℃，确保在恶劣环境中仍能稳定运行。
另一个显著特点是其反向漏电流较低，最大为100μA（在40V和25℃条件下），这意味着在高阻断电压下，器件的漏电流仍然可控，不会对电路造成显著影响。此外，JANS1N5811的结电容约为20pF，在高频应用中能够减少寄生效应，提高整体电路性能。
JANS1N5811广泛应用于多个高可靠性领域。在电源管理系统中，它常用于DC-DC转换器、负载开关和极性保护电路，以提高效率并防止反向电流损坏设备。在通信设备中，JANS1N5811用于高频整流、信号检波和混频器电路，确保信号传输的稳定性和清晰度。
由于其军用级认证，JANS1N5811在航空航天和国防电子系统中也得到广泛应用，例如雷达系统、卫星通信模块和军用电源模块。这些系统通常需要在极端温度和振动环境下运行，JANS1N5811的高可靠性和稳定性使其成为理想选择。
此外，该器件还适用于工业自动化控制系统、测试测量设备和医疗电子设备，用于提供高效能和稳定性的电源管理和信号处理解决方案。
1N5811WS、SS14、MBR140、1N5817、1N5819
