类型：NPN 双极性晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：40 V
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大功率耗散（PD）：300 mW
　　频率响应（fT）：250 MHz
　　电流增益（hFE）：50 至 300（具体取决于工作电流）
　　封装类型：TO-18 金属封装
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

JAN2N1990S 晶体管具有高频率响应能力，适用于射频放大器和高速开关电路。其 TO-18 金属封装不仅提供了良好的热传导性能，还增强了在高振动环境中的机械稳定性。该晶体管的 JAN 认证表明其符合美国军用标准（MIL-PRF-19500），能够在极端温度、湿度和振动条件下可靠运行。此外，该器件具有良好的线性性能，适用于低噪声放大器和混频器等应用。由于其高 fT（250 MHz）和较低的寄生电容，JAN2N1990S 在高频模拟电路中表现出色。其 hFE 值范围较宽，使得该晶体管适用于多种偏置和放大配置，如共发射极、共基极和射极跟随器电路。
　　该晶体管的设计使其在高温环境下仍能保持稳定的性能，这得益于其内部结构采用了高质量的硅材料和先进的制造工艺。此外，JAN2N1990S 在低电压条件下也能正常工作，适合用于电池供电设备或低功耗系统。

JAN2N1990S 广泛应用于射频通信系统、高频放大器、振荡器和混频器电路。它也常用于军事和航空航天领域的高可靠性电子设备，如雷达系统、卫星通信模块和战术无线电设备。此外，该晶体管适用于高速数字开关电路、脉冲电路和低噪声前置放大器。由于其良好的热稳定性和机械坚固性，JAN2N1990S 也适用于工业控制、测试设备和精密测量仪器中的高频信号处理部分。

2N1990A, 2N1990, BFQ1990, BFR1990