类型：NPN晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：60V
　　最大集电极电流（IC）：150mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　最大工作温度：125°C
　　封装形式：TO-18金属封装
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：在2mA集电极电流下为40至150
　　最大基极-发射极电压（VBE）：5V

JAN2N1151 晶体管具有多个关键特性，适用于高可靠性应用场景。
　　首先，它具有高达125°C的宽工作温度范围，使其适用于高温环境中的电子设备。此外，该晶体管采用TO-18金属封装，提供良好的热管理和机械稳定性，同时增强了在恶劣环境下的耐用性。
　　其电流增益（hFE）范围为40至150，具有良好的信号放大能力，适用于中低功率放大电路和开关应用。该晶体管的最大集电极电流为150mA，最大集电极-发射极电压为60V，使其适用于多种模拟和数字电路。
　　JAN2N1151 还具有100MHz的增益带宽积，适合用于中高频放大器设计。由于其属于JAN认证系列，因此符合严格的军用标准，适用于军事和航天电子系统。
　　此外，该晶体管的封装设计支持手工焊接和波峰焊工艺，便于在不同类型的电路板上安装。其金属封装也有助于减少电磁干扰（EMI），提高电路的整体稳定性。

JAN2N1151 晶体管广泛应用于多个高可靠性领域。
　　在航空航天领域，它常用于飞行控制系统、导航设备和通信模块中的信号放大和开关功能。由于其符合军用标准，因此在军事电子设备中也被广泛使用，如雷达系统、测试设备和战术通信装置。
　　在工业控制系统中，JAN2N1151 可用于传感器接口电路、继电器驱动器和电源管理模块。其良好的温度稳定性和高可靠性使其成为恶劣工业环境下的理想选择。
　　此外，该晶体管也可用于通用电子设计，如音频放大器、振荡器和数字逻辑电路。其TO-18封装也使其适用于原型设计和维修更换。
　　由于其高频特性，JAN2N1151 也常用于射频（RF）前端模块和低噪声放大器设计，适用于无线通信设备和测试仪器。

2N1151, PN2222, 2N2222, BC547, MPS2222