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JAN1N5532D-1 发布时间 时间:2025/12/24 18:30:07 查看 阅读:21

JAN1N5532D-1是一款双极型晶体管(BJT)阵列集成电路,由美国Microsemi公司生产。这款器件属于高性能、高频、双晶体管封装的组件,广泛用于军事和航空航天领域,因其符合MIL-PRF-19500标准而具备高可靠性和稳定性。该器件采用TO-100金属封装,提供良好的热稳定性和机械强度,适用于需要高可靠性的应用场景。

参数

类型:双极型晶体管阵列
  封装:TO-100金属封装
  晶体管数量:2个
  晶体管类型:NPN
  最大集电极-发射极电压(VCEO):30V
  最大集电极电流(IC):100mA
  最大功耗(PD):300mW
  频率响应(fT):100MHz
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  符合标准:MIL-PRF-19500

特性

JAN1N5532D-1具有高可靠性设计,适用于恶劣环境条件下的稳定运行。其TO-100金属封装不仅提供良好的散热性能,还能有效防止电磁干扰(EMI),确保信号传输的稳定性。该器件采用两个NPN型晶体管,适合高频放大和开关应用。每个晶体管的工作电压为30V,最大集电极电流为100mA,支持高频响应,适合用于射频(RF)电路和高速逻辑电路。此外,该器件的工作温度范围非常宽泛,从-55°C到+150°C,使其适用于极端温度环境下的应用,如航天器、导弹系统和雷达设备。JAN1N5532D-1还符合MIL-PRF-19500军用标准,确保其在关键任务中的可靠性与一致性。

应用

JAN1N5532D-1广泛应用于军事和航空航天领域,如雷达系统、导弹制导控制、通信设备和卫星发射机等高可靠性要求的应用场景。由于其高频特性和稳定性,该器件也常用于射频放大器、信号处理电路和高速开关电路。此外,JAN1N5532D-1还可用于测试设备、精密测量仪器和工业自动化控制系统,特别是在需要高稳定性和长寿命的环境中。其金属封装设计使其在高温、高振动或高辐射环境中表现出色,确保系统运行的可靠性。

替代型号

JAN1N5532C-1
  JAN1N5532B-1

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JAN1N5532D-1参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格100 : ¥140.47480散装
  • 系列Military, MIL-PRF-19500/437
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz)12 V
  • 容差±1%
  • 功率 - 最大值500 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt)90 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏50 nA @ 10.8 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.1 V @ 200 mA
  • 工作温度-65°C ~ 175°C
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳DO-204AH,DO-35,轴向
  • 供应商器件封装DO-35(DO-204AH)