时间：2025/8/20 8:11:43
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W29N08GZSIBA 是 Winbond 公司生产的一款 NAND Flash 存储器芯片，其容量为 8Gbit（1GiB），采用 x8 I/O 总线接口。该芯片专为高性能、高可靠性和大容量存储应用而设计，广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、网络设备、消费类电子产品等场景。W29N08GZSIBA 采用 52-ball WFBGA 封装，具有较小的物理尺寸，适用于空间受限的应用。此外，该芯片支持多种 ECC（错误校正码）机制，以提高数据存储的可靠性。
容量：8Gbit (1GiB)
接口类型：x8 I/O 并行 NAND 接口
电压范围：2.3V 至 3.6V
工作温度：-40°C 至 +85°C
封装形式：52-ball WFBGA
读取速度：最高可达 50MHz
编程时间：页编程时间为 200μs
擦除时间：块擦除时间为 2ms
页面大小：2048 字节 + 64 字节（备用区）
块大小：64 页/块
可靠性：100,000 次编程/擦除周期
ECC 要求：建议使用 4 位 ECC/512 字节数据
W29N08GZSIBA 的设计目标是提供高效、稳定和可靠的存储解决方案。首先，它具备较高的存储密度，8Gbit 的容量可以满足嵌入式系统、便携式设备和工业设备对大容量非易失性存储的需求。其次，该芯片采用标准的 NAND Flash 接口，兼容大多数嵌入式控制器和主控芯片，使得系统集成更加方便。
W29N08GZSIBA 支持页编程和块擦除操作，页面大小为 2048 字节，加上 64 字节的备用区域，可用于存储 ECC 校验信息或其他元数据。块擦除操作可在 2ms 内完成，页编程时间为 200μs，具有较高的操作效率。为了提高数据可靠性，该芯片在硬件层面上支持多种 ECC 纠错机制，推荐使用 4 位 ECC/512 字节数据，以确保数据完整性。
该芯片的工作电压范围为 2.3V 至 3.6V，具备宽电压适应能力，适用于不同电源设计的嵌入式系统。同时，其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，能够满足工业级环境下的稳定运行需求。此外，W29N08GZSIBA 提供 100,000 次编程/擦除周期的耐久性，确保在频繁读写操作下仍能保持较长的使用寿命。
在封装方面，该芯片采用 52-ball WFBGA 封装，体积小巧，适合空间受限的应用，如移动设备、穿戴式设备和小型工业控制器。
W29N08GZSIBA 主要应用于需要高可靠性、高容量和低功耗特性的嵌入式系统和工业设备中。例如，在工业自动化控制设备中，该芯片可用于存储固件、配置数据和运行日志；在通信设备中，如路由器和交换机，可用于存储操作系统和配置文件；在消费类电子产品中，如智能手表、智能手环和便携式游戏设备，该芯片可作为主存储介质。此外，该芯片也适用于车载电子设备、医疗设备和安防监控系统等对存储性能和可靠性有较高要求的领域。
S34ML08G100BHI000, MT29F8G08ABABA, HY27US08581A
