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W29N08GZSIBA 发布时间 时间:2025/8/20 8:11:43 查看 阅读:23

W29N08GZSIBA 是 Winbond 公司生产的一款 NAND Flash 存储器芯片,其容量为 8Gbit(1GiB),采用 x8 I/O 总线接口。该芯片专为高性能、高可靠性和大容量存储应用而设计,广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、网络设备、消费类电子产品等场景。W29N08GZSIBA 采用 52-ball WFBGA 封装,具有较小的物理尺寸,适用于空间受限的应用。此外,该芯片支持多种 ECC(错误校正码)机制,以提高数据存储的可靠性。

参数

容量:8Gbit (1GiB)
   接口类型:x8 I/O 并行 NAND 接口
   电压范围:2.3V 至 3.6V
   工作温度:-40°C 至 +85°C
   封装形式:52-ball WFBGA
   读取速度:最高可达 50MHz
   编程时间:页编程时间为 200μs
   擦除时间:块擦除时间为 2ms
   页面大小:2048 字节 + 64 字节(备用区)
   块大小:64 页/块
   可靠性:100,000 次编程/擦除周期
   ECC 要求:建议使用 4 位 ECC/512 字节数据

特性

W29N08GZSIBA 的设计目标是提供高效、稳定和可靠的存储解决方案。首先,它具备较高的存储密度,8Gbit 的容量可以满足嵌入式系统、便携式设备和工业设备对大容量非易失性存储的需求。其次,该芯片采用标准的 NAND Flash 接口,兼容大多数嵌入式控制器和主控芯片,使得系统集成更加方便。
          W29N08GZSIBA 支持页编程和块擦除操作,页面大小为 2048 字节,加上 64 字节的备用区域,可用于存储 ECC 校验信息或其他元数据。块擦除操作可在 2ms 内完成,页编程时间为 200μs,具有较高的操作效率。为了提高数据可靠性,该芯片在硬件层面上支持多种 ECC 纠错机制,推荐使用 4 位 ECC/512 字节数据,以确保数据完整性。
          该芯片的工作电压范围为 2.3V 至 3.6V,具备宽电压适应能力,适用于不同电源设计的嵌入式系统。同时,其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C,能够满足工业级环境下的稳定运行需求。此外,W29N08GZSIBA 提供 100,000 次编程/擦除周期的耐久性,确保在频繁读写操作下仍能保持较长的使用寿命。
          在封装方面,该芯片采用 52-ball WFBGA 封装,体积小巧,适合空间受限的应用,如移动设备、穿戴式设备和小型工业控制器。

应用

W29N08GZSIBA 主要应用于需要高可靠性、高容量和低功耗特性的嵌入式系统和工业设备中。例如,在工业自动化控制设备中,该芯片可用于存储固件、配置数据和运行日志;在通信设备中,如路由器和交换机,可用于存储操作系统和配置文件;在消费类电子产品中,如智能手表、智能手环和便携式游戏设备,该芯片可作为主存储介质。此外,该芯片也适用于车载电子设备、医疗设备和安防监控系统等对存储性能和可靠性有较高要求的领域。

替代型号

S34ML08G100BHI000, MT29F8G08ABABA, HY27US08581A

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W29N08GZSIBA参数

  • 现有数量0现货
  • 价格96 : ¥107.10427托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NAND(SLC)
  • 存储容量8Gb
  • 存储器组织1G x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率40 MHz
  • 写周期时间 - 字,页35ns
  • 访问时间35 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
  • 供应商器件封装48-TSOP