时间：2025/9/3 17:00:56
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JAN1N2835 是一款常见的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和开关电路中。该器件采用TO-205AD（TO-3）封装，具备较高的耐压和较大的导通电流能力，适用于需要高可靠性和高稳定性的应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大漏极电流（Id）：10A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：约0.4Ω（典型值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V
最大功耗（Pd）：60W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-3（金属封装）
JAN1N2835具有低导通电阻和高电流承载能力，使其在开关电源、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等应用中表现出色。其TO-3金属封装不仅提供了良好的散热性能，还增强了器件的机械强度和热稳定性。
此外，该器件具有快速开关特性，能够减少开关损耗，提高整体系统效率。由于其高可靠性和广泛的工作温度范围，JAN1N2835常用于军事、航空航天以及工业控制等对可靠性要求较高的场合。
该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和过载保护性能，能够在高应力条件下保持稳定运行。
JAN1N2835主要应用于电源管理系统、开关稳压器、DC-DC转换器、电池充电器、电机驱动器、负载开关、逆变器以及工业自动化设备中的功率控制电路。由于其高可靠性，它也广泛用于军事和航空航天领域的电子系统中。
2N6756, IRFZ44N, FDPF10N60, 2N6860
