J202LTR1 是一种常见的电子元器件型号,通常被用作场效应晶体管(FET)中的结型场效应晶体管(JFET)。该器件由多家制造商生产,广泛应用于低噪声前置放大器、模拟开关、音频信号处理以及其他需要高输入阻抗和低噪声性能的电路中。J202 是一种 N 沟道 JFET,适合在低电压环境下工作,具有良好的线性特性和稳定性。
类型:N 沟道 JFET
最大漏极电流(ID):30mA
最大漏极-源极电压(VDS):30V
最大栅极-源极电压(VGS):-25V
输入电容(Ciss):15pF(典型值)
输出电容(Coss):5pF(典型值)
跨导(Gm):3000μS 至 8000μS
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-92 或 SOT-23
J202LTR1 是一款经典的 N 沟道 JFET 器件,具有高输入阻抗和低噪声系数,非常适合用于前置放大器和音频信号处理电路。其高跨导特性使其在模拟电路中表现出良好的线性度和增益性能。J202LTR1 在设计上具有较宽的工作电压范围,可以在 3V 至 30V 的漏极电压下稳定工作。此外,该器件具有较低的栅极漏电流,确保了其在高阻抗信号源中的可靠性。
J202LTR1 的封装形式通常为 TO-92 或 SOT-23,适用于多种 PCB 设计场景。由于其良好的电气特性和稳定性,J202LTR1 也被广泛应用于射频(RF)前端、混频器、振荡器和模拟开关电路。该器件在高温环境下依然保持稳定的工作性能,适用于工业级和汽车电子系统。
此外,J202LTR1 的制造工艺成熟,具有较高的批次一致性,便于在大批量生产中使用。它的栅极-源极电压范围较宽,允许在多种偏置条件下运行,增强了其应用灵活性。
J202LTR1 主要应用于以下类型的电子电路中:低噪声前置放大器、音频放大器、模拟开关、射频(RF)放大器、混频器、振荡器、电压控制电阻、信号调节电路等。此外,由于其高输入阻抗和低功耗特性,J202LTR1 也常用于测量仪器、传感器接口电路以及电池供电设备中的信号处理部分。
2N5457, J201, BF245C, 2SK170