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J175 发布时间 时间:2023/3/13 14:32:28 查看 阅读:482

    类别:分离式半导体产品

    家庭:JFET(结点场效应

    系列:-

 

目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:JFET(结点场效应

    系列:-

    电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):7mA @ 15V

    漏极至源极电压(Vdss):-

    漏极电流 (Id) - 最大:-

    FET 型:P 沟道

    电压 - 击穿 (V(BR)GSS):30V

    电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:3V @ 10nA

    在 Vds 时的输入电容(Ciss) :-

    电阻 - RDS(开):125 欧姆

    安装类型:通孔

    包装:散装

    封装/外壳:TO-92-3(标准主体),TO-226

    功率 - 最大:350mW

    供应商设备封装:*

    其它名称:J175FS


资料

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  • P-channel silicon field-effect trans...
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J175参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭JFET(结点场效应
  • 系列-
  • 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)7mA @ 15V
  • 漏极至源极电压(Vdss)-
  • 漏极电流 (Id) - 最大-
  • FET 型P 沟道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)30V
  • 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id3V @ 10nA
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 电阻 - RDS(开)125 欧姆
  • 安装类型通孔
  • 包装散装
  • 封装/外壳TO-226-3、TO-92-3 标准主体
  • 供应商设备封装TO-92-3
  • 功率 - 最大350mW
  • 其它名称J175FS