时间：2025/8/5 13:41:54
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IXZR18N50是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率、高频率的开关应用。该器件采用先进的平面技术，具备低导通电阻和优异的开关性能，适用于电源转换器、电机控制、开关电源（SMPS）以及各种工业电子设备。IXZR18N50具有较高的电压和电流承受能力，能够在严苛的工作环境下稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：500V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：18A
导通电阻（RDS(on)）：0.25Ω（最大值）
功率耗散（PD）：180W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-247
IXZR18N50的主要特性之一是其优异的导通性能和快速开关能力，能够在高频工作条件下保持较低的开关损耗。其导通电阻（RDS(on)）非常低，仅为0.25Ω，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体效率。此外，该器件具备较高的耐压能力，最大漏源电压可达500V，适合高压应用。其栅极驱动电压范围宽广，可在±30V范围内工作，便于与多种驱动电路兼容。
该MOSFET还具有良好的热稳定性和散热性能，采用TO-247封装形式，能够有效地将热量传导至外部散热器，从而确保在高功率运行时的稳定性。其内部结构设计优化了电场分布，降低了击穿风险，提高了器件的可靠性。此外，IXZR18N50在短路和过载情况下也具备一定的耐受能力，适合用于需要高可靠性的工业和电源应用。
IXZR18N50广泛应用于各类高功率电子系统中，尤其适用于需要高效能和高可靠性的场合。例如，在开关电源（SMPS）中，该器件可用于主开关电路，实现高效的能量转换；在电机控制和逆变器系统中，IXZR18N50可作为功率开关，驱动电机或负载。此外，它还适用于不间断电源（UPS）、DC-DC转换器、电池充电器等电源管理系统。
由于其高电压和高电流能力，IXZR18N50也可用于工业自动化设备、照明控制系统以及电动汽车充电设备中的功率调节部分。在需要快速开关和高效率的场合，如高频逆变器和功率因数校正（PFC）电路中，该MOSFET同样表现出色。
STP18N50, IRFP460, FQA18N50
