IXZ308N120 时间：2025/8/5 20:15:12 阅读：31

IXZ308N120是英飞凌（Infineon）公司生产的一款高性能碳化硅（SiC）功率MOSFET器件，属于其CoolSiC系列。该器件专为高效率、高频率的功率转换应用设计，适用于电动汽车（EV）充电系统、可再生能源系统以及工业电源设备。IXZ308N120采用先进的碳化硅技术，具备较低的导通损耗和开关损耗，能够在高温环境下稳定运行。

参数

类型：碳化硅MOSFET
　　漏源电压（VDS）：1200V
　　漏极电流（ID）：80A（在25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：30mΩ（最大值）
　　栅极电压范围：-5V至25V
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-247-3
　　短路耐受能力：6倍额定电流持续5μs
　　符合标准：RoHS、REACH

特性

IXZ308N120具备多项显著特性，使其在高压、高功率密度应用中表现出色。首先，其采用了碳化硅材料，相较于传统的硅基MOSFET，具有更高的热导率和更高的击穿电场强度，从而能够在更高的电压和温度下运行。此外，该器件的低导通电阻（RDS(on)）降低了导通损耗，提高了整体系统效率。
　　其次，IXZ308N120具有优异的开关性能，快速的开关速度显著减少了开关损耗，使得该器件适用于高频开关电源设计。其栅极驱动电压范围宽广（-5V至25V），兼容多种栅极驱动器方案，提高了设计灵活性。
　　再者，该器件具备良好的短路耐受能力，能够在极端工况下提供可靠的保护，确保系统稳定运行。同时，IXZ308N120的工作温度范围广泛，适用于严苛的工业和汽车应用环境。
　　最后，该器件符合RoHS和REACH环保标准，适合用于环保要求较高的项目。