IXYX40N250CHV 时间：2025/8/6 1:14:39 阅读：19

IXYX40N250CHV是一款由IXYS公司制造的高电压、高电流能力的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于需要高功率密度和高可靠性的应用。该器件采用了先进的平面DMOS技术，提供了卓越的导通和开关性能。该MOSFET的漏源电压（VDS）高达250V，连续漏极电流（ID）为40A，适合用于如电源转换、电机控制、UPS系统和工业自动化设备等高功率应用场景。该器件采用TO-247封装，具有良好的热管理和散热能力，同时具备低导通电阻（RDS(on)）的特点，能够有效降低功率损耗。

参数

漏源电压 VDS：250V
　　栅源电压 VGS：±30V
　　连续漏极电流 ID：40A
　　脉冲漏极电流 IDM：160A
　　导通电阻 RDS(on)：典型值为0.105Ω
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-247

特性

IXYX40N250CHV具有多个显著的性能特点。首先，其高漏源电压（250V）和大漏极电流（40A）能力使其适用于高功率应用，如DC-DC转换器、逆变器以及工业电源系统。其次，该器件采用了先进的平面DMOS制造工艺，提供了优异的导通性能和快速的开关特性，有助于减少开关损耗并提高整体系统效率。此外，低导通电阻（RDS(on)）仅为0.105Ω，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高能效。该MOSFET还具备良好的热稳定性，能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，适用于恶劣环境条件下的应用。TO-247封装设计不仅提供了良好的散热性能，还确保了与标准电路板布局的兼容性，便于安装和维护。此外，该器件具备较高的抗雪崩能力，能够承受瞬态过电压应力，提高了系统的可靠性和耐久性。
　　在栅极驱动方面，该MOSFET的栅源电压范围为±30V，具备一定的过压保护能力，同时其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动电路的功耗。IXYX40N250CHV还具备快速恢复体二极管特性，适用于需要反向续流的应用场合。此外，其封装设计具备较高的绝缘性能，确保了电气安全性和可靠性。这些综合特性使得该MOSFET在高功率和高性能要求的应用中表现出色。

应用

IXYX40N250CHV广泛应用于多个高功率电子系统中。其主要应用包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动系统、工业自动化控制设备、焊接设备、电镀电源以及太阳能逆变系统等。在这些应用中，该MOSFET能够提供高效率和高可靠性的功率转换能力，满足系统对于高性能和长寿命的要求。例如，在太阳能逆变器中，该器件可用于直流到交流的高效转换，确保能源的有效利用；在电机控制中，其快速开关特性有助于实现精确的速度和扭矩控制。由于其优异的热性能和电气性能，该MOSFET也适用于需要高可靠性和长寿命的医疗设备和测试设备中的电源管理模块。