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IXYX140N90C3 发布时间 时间:2025/8/6 4:27:59 查看 阅读:30

IXYX140N90C3是一款高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高电压和高电流应用设计。该器件由英飞凌(Infineon)公司制造,基于CoolMOS?技术,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于各种电源管理和功率转换系统。该MOSFET采用TO-247封装形式,提供良好的散热性能和机械稳定性。

参数

类型:功率MOSFET
  制造工艺:CoolMOS?技术
  最大漏极电流(ID):140A
  漏源电压(VDS):900V
  栅源电压(VGS):±30V
  导通电阻(RDS(on)):典型值为14mΩ
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装类型:TO-247
  功率耗散(PD):300W

特性

IXYX140N90C3的核心特性之一是其极低的导通电阻,这显著降低了导通损耗并提高了整体系统效率。该器件的高击穿电压能力(900V)使其非常适合用于高电压应用,如工业电源和电机驱动器。此外,该MOSFET的快速开关特性减少了开关损耗,从而提高了系统的动态响应和能效。
  另一个重要特性是其优异的热性能。TO-247封装提供了良好的散热能力,确保器件在高负载条件下仍能保持稳定的工作温度。这种封装还具有良好的机械强度,适用于严苛的工业环境。
  该MOSFET还具有高可靠性和长寿命,能够在极端温度和高电流条件下长时间运行而不发生性能退化。此外,其栅极驱动要求较低,兼容常见的驱动电路设计,简化了系统集成过程。

应用

IXYX140N90C3广泛应用于高功率电源转换系统,包括但不限于以下领域:
  - 工业电源:如开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和电焊机电源。
  - 电机控制:如变频器、伺服驱动器和电动工具。
  - 可再生能源系统:如太阳能逆变器和风力发电变流器。
  - 电动汽车充电设备:用于高效能的电力转换和管理。
  - 电源管理系统:如电池充电器和能量存储系统。

替代型号

IXFN140N90T
  IXYS140N90C3

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IXYX140N90C3参数

  • 现有数量4现货
  • 价格1 : ¥168.46000管件
  • 系列GenX3?, XPT?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)900 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)310 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)840 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)2.7V @ 15V,140A
  • 功率 - 最大值1630 W
  • 开关能量4.3mJ(开),4mJ(关)
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷330 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值40ns/145ns
  • 测试条件450V,100A,1 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3 变式
  • 供应商器件封装PLUS247?-3