IXYX140N90C3是一款高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高电压和高电流应用设计。该器件由英飞凌(Infineon)公司制造,基于CoolMOS?技术,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于各种电源管理和功率转换系统。该MOSFET采用TO-247封装形式,提供良好的散热性能和机械稳定性。
类型:功率MOSFET
制造工艺:CoolMOS?技术
最大漏极电流(ID):140A
漏源电压(VDS):900V
栅源电压(VGS):±30V
导通电阻(RDS(on)):典型值为14mΩ
工作温度范围:-55°C至175°C
封装类型:TO-247
功率耗散(PD):300W
IXYX140N90C3的核心特性之一是其极低的导通电阻,这显著降低了导通损耗并提高了整体系统效率。该器件的高击穿电压能力(900V)使其非常适合用于高电压应用,如工业电源和电机驱动器。此外,该MOSFET的快速开关特性减少了开关损耗,从而提高了系统的动态响应和能效。
另一个重要特性是其优异的热性能。TO-247封装提供了良好的散热能力,确保器件在高负载条件下仍能保持稳定的工作温度。这种封装还具有良好的机械强度,适用于严苛的工业环境。
该MOSFET还具有高可靠性和长寿命,能够在极端温度和高电流条件下长时间运行而不发生性能退化。此外,其栅极驱动要求较低,兼容常见的驱动电路设计,简化了系统集成过程。
IXYX140N90C3广泛应用于高功率电源转换系统,包括但不限于以下领域:
- 工业电源:如开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和电焊机电源。
- 电机控制:如变频器、伺服驱动器和电动工具。
- 可再生能源系统:如太阳能逆变器和风力发电变流器。
- 电动汽车充电设备:用于高效能的电力转换和管理。
- 电源管理系统:如电池充电器和能量存储系统。
IXFN140N90T
IXYS140N90C3