类型：NPN 晶体管
　　封装：SOT-23
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大耗散功率（PD）：300mW
　　电流增益（hFE）：110 至 800（根据等级划分）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　最大频率（fT）：100MHz

L8550HQLT1G 晶体管具备优异的电气性能和高可靠性，适合多种通用应用环境。其低饱和电压（VCE(sat)）确保在开关状态下功耗较低，从而提高整体电路效率。此外，该器件具有良好的热稳定性和快速开关响应能力，适用于高频放大和数字开关电路。SOT-23 封装形式不仅节省空间，而且便于表面贴装工艺（SMT），提高生产效率。该晶体管的 hFE（电流增益）范围广泛，可满足不同设计需求，从低增益到高增益的应用场景均可适用。
　　在可靠性方面，L8550HQLT1G 具有较高的抗静电能力和良好的温度稳定性，能够在恶劣环境中稳定运行。其额定工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于工业级和汽车电子应用。同时，该晶体管的低漏电流特性使其在待机或低功耗模式下表现出色，适合电池供电设备使用。

L8550HQLT1G 晶体管广泛应用于各类电子电路中，主要包括：信号放大电路中的前置放大器或驱动级放大器；数字开关电路中的逻辑控制和继电器驱动；LED 驱动和负载开关；电源管理系统中的电压调节和电流控制；通信设备中的射频信号放大和处理；消费类电子产品如遥控器、音频设备、玩具和小型家电等。
　　在工业控制方面，L8550HQLT1G 可用于传感器信号调理、继电器驱动、电机控制电路以及嵌入式系统的输入输出接口。由于其高频响应特性，也适用于低频至中频的射频电路中。此外，在汽车电子系统中，如车灯控制、仪表盘指示灯驱动、车载娱乐系统等应用场景，该晶体管也能表现出良好的性能。

BC847系列, 2N3904, MMBT3904, PN2222A