类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：200V
　　最大漏极电流(Id)：70A
　　导通电阻(Rds(on))：0.037Ω
　　最大功耗(Pd)：250W
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：4V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-247

IXYS70N20具有多项先进的性能特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，该器件具有极低的导通电阻，仅为0.037Ω，这有助于减少导通损耗并提高系统的整体效率。其次，IXYS70N20的最大漏极电流为70A，能够承受较大的负载电流，适用于高功率密度的设计。
　　该器件的最大漏源电压为200V，适用于中高压应用，如开关电源、DC-DC转换器和电机驱动系统。此外，IXYS70N20的栅极阈值电压为4V，确保了稳定的导通状态，并兼容标准的逻辑电平驱动电路。
　　IXYS70N20采用TO-247封装，具有良好的散热性能，能够有效地将热量传导至散热片，从而提高器件的可靠性和寿命。该封装还提供了较高的绝缘性能，确保在高电压应用中的安全性。
　　此外，IXYS70N20具有快速的开关特性，减少了开关损耗，提高了系统的动态响应能力。这使其适用于高频开关应用，如谐振转换器和高频逆变器。

IXYS70N20广泛应用于各种电力电子系统中，主要包括开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器、DC-DC转换器以及工业自动化设备。在开关电源中，该器件可用于高频率的功率转换，提高电源的效率和功率密度。在电机驱动应用中，IXYS70N20能够提供高电流输出，确保电机的稳定运行。
　　此外，该器件也适用于太阳能逆变器和UPS（不间断电源）系统，在这些应用中，高效的能量转换和可靠的性能至关重要。IXYS70N20的快速开关特性和低导通电阻使其成为高频功率转换的理想选择。

STP70NF20 IXFH70N20 IXFP70N20 IXTP70N20