IXYN300N65A3 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于需要高电流、高电压和高可靠性的电源转换系统。该器件采用 TO-247 封装形式,适用于工业电源、DC-DC 转换器、电机控制和 UPS 系统等应用。这款 MOSFET 的最大漏极电流可达到 300A,漏源电压(VDS)为 650V,适合高功率密度设计。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(VDS):650V
栅源电压(VGS):±30V
最大漏极电流(ID):300A(在 TC=25℃)
功耗(PD):650W
导通电阻(RDS(on)):11mΩ(典型值)
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
封装类型:TO-247
IXYN300N65A3 具备出色的导通性能和低导通电阻,能够有效降低功率损耗并提高系统效率。其 11mΩ 的 RDS(on) 使得在高电流下也能保持较低的导通压降,从而减少发热。该器件支持高达 300A 的连续漏极电流,适用于大功率应用。此外,其 650V 的漏源电压使其能够承受较高的电压应力,具有良好的电压耐受能力和稳定性。
该 MOSFET 采用了先进的制造工艺,确保在高温下仍能保持良好的电气性能和可靠性。TO-247 封装形式不仅提供了良好的散热性能,还便于在散热器上安装,增强了器件的热管理能力。此外,该器件具有较低的栅极电荷(Qg),有助于提高开关速度并降低开关损耗,适合高频开关应用。
IXYN300N65A3 还具备良好的短路耐受能力,可在短时间过载情况下保持稳定运行,提高系统的鲁棒性。该器件的设计符合 RoHS 环保标准,适用于环保型电子设备。
IXYN300N65A3 主要应用于高功率电源系统,如工业开关电源、DC-DC 转换器、不间断电源(UPS)、电机驱动器和电焊设备。由于其高电流能力和低导通电阻特性,该器件在电动车辆(EV)充电系统、太阳能逆变器和储能系统中也有广泛应用。此外,该 MOSFET 还适用于需要快速开关和高效能的高频电源转换器,如服务器电源和电信基础设施设备中的功率模块。
IXFN300N65X2, IXFN360N65X2, FF300R65SE4