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2SK2250-01L 发布时间 时间:2025/8/9 12:02:39 查看 阅读:15

2SK2250-01L 是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高频放大和开关应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高频率响应和良好的热稳定性,适用于各种电子设备,如电源转换器、射频放大器和工业控制系统。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):500mA
  最大漏源电压(VDS):50V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(ON)):5Ω(典型值)
  功率耗散(PD):300mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-323(SC-70)
  引脚数:3
  增益带宽积:100MHz(典型值)

特性

2SK2250-01L 具有多个显著的电气和机械特性,使其在各种高频应用中表现出色。
  首先,该器件的低导通电阻(RDS(ON))为5Ω,这有助于降低导通状态下的功率损耗,提高能效。这对于需要长时间工作的电源系统尤为重要。
  其次,2SK2250-01L 具有高达50V的漏源电压(VDS)和±20V的栅源电压(VGS),能够在较宽的电压范围内稳定工作,适用于多种电源管理应用。
  此外,该MOSFET的增益带宽积为100MHz,表明其在高频放大应用中具有出色的性能。这种高频率响应使得2SK2250-01L 非常适合用于射频(RF)放大器、高频振荡器和其他高频电路设计。
  2SK2250-01L 采用SOT-323(SC-70)封装,这种小型封装不仅节省空间,而且便于自动化生产和焊接,适用于高密度电路板设计。其300mW的功率耗散能力确保了在较高工作电流下仍能保持良好的散热性能。
  该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C,表明其在极端环境条件下仍能保持稳定运行,适用于工业控制、汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。
  综上所述,2SK2250-01L 凭借其低导通电阻、高频率响应、宽电压范围和小型封装等优势,在高频放大、电源管理和开关控制等领域具有广泛的应用前景。

应用

2SK2250-01L 主要应用于以下领域:
  1. **高频放大器**:由于其高达100MHz的增益带宽积,2SK2250-01L 非常适合用于射频(RF)放大器和高频信号放大电路。
  2. **电源管理**:该MOSFET的低导通电阻和较高的漏源电压使其适用于DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统等电源管理应用。
  3. **开关电路**:在需要快速开关响应的电路中,如PWM控制器和电机驱动电路中,2SK2250-01L 可以提供高效的开关性能。
  4. **工业控制系统**:其宽工作温度范围和高可靠性使其适合用于工业自动化设备、传感器接口和控制电路。
  5. **消费类电子产品**:由于其小型SOT-323封装,2SK2250-01L 也广泛用于便携式电子设备、智能手机和穿戴设备中的电源管理和信号处理电路。

替代型号

2SK2251-01L, 2SK2252-01L, BSS138, 2N7002, FDV301N

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