时间：2025/8/6 3:15:20
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IXYN24N100 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高电流的应用场景。该器件采用 TO-247 封装形式，具有优异的热性能和耐用性，适用于工业电源、电机驱动、不间断电源（UPS）以及可再生能源系统等高要求的电力电子设备。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：1000V
栅源电压（VGS）：±30V
漏极电流（ID）@25°C：24A
漏极电流（ID）@100°C：15A
导通电阻（RDS(on)）：最大 0.36Ω（典型值 0.28Ω）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
功率耗散（PD）：200W
IXYN24N100 的设计使其在高电压和高功率应用中表现出色。首先，其高达 1000V 的漏源电压（VDS）允许该器件用于高电压转换系统，例如工业电源或太阳能逆变器。其次，漏极电流额定值在 25°C 下为 24A，在高温环境下仍能保持 15A 的稳定性能，表明其具备良好的热管理能力。
该器件的导通电阻（RDS(on)）典型值为 0.28Ω，最大值为 0.36Ω，这在高电压 MOSFET 中属于较低水平，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，其 ±30V 的栅源电压额定值提供了更高的抗过压能力，适用于复杂开关环境中的保护需求。
IXYN24N100 采用 TO-247 封装，这种封装形式具有良好的散热性能和机械稳定性，适合安装在散热器上，确保在高功耗应用中维持稳定的运行温度。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应多种恶劣环境条件。
该 MOSFET 还具备快速开关能力，适合用于高频开关电源和逆变器系统。其内部结构优化减少了开关损耗，同时提高了抗雪崩击穿的能力，增强了器件的可靠性和寿命。
IXYN24N100 适用于多种高功率电子系统，例如工业电源、不间断电源（UPS）、电动车辆充电器、太阳能逆变器和电机控制电路。在工业自动化系统中，它可用于构建高效的 DC-DC 转换器或 AC-DC 整流器。在可再生能源领域，该器件能够作为太阳能逆变器中的核心开关元件，实现高效的能量转换。此外，它还可用于高频感应加热设备和焊接机等高要求的电力电子设备。
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"IXFN24N100",
"IRFP460",
"STF12N100",
"FGL40N120"
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