时间：2025/8/6 0:00:14
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IXYH75N65C3是一款由英飞凌（Infineon）生产的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高电流的应用场景。该器件采用先进的CoolMOS?技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和开关损耗，适用于电源转换、电机驱动、UPS系统、工业自动化设备以及其他需要高效率和高可靠性的电子系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：650V
漏极电流（Id）：75A
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.075Ω
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-247
栅极电荷（Qg）：典型值为135nC
漏源击穿电压（BVDSS）：650V
最大功率耗散（Ptot）：300W
IXYH75N65C3 MOSFET采用了英飞凌的CoolMOS?技术，该技术显著降低了器件的导通损耗和开关损耗，从而提高了整体能效。这种MOSFET具有非常低的Rds(on)值，使得在高电流条件下也能保持较低的功率损耗，减少了散热需求。此外，该器件的封装设计有助于提高热管理和机械稳定性，使其适用于严苛的工作环境。
其高电压耐受能力和较大的额定漏极电流，使其非常适合用于高功率密度设计，如电源供应器、变频器、伺服驱动器和工业控制系统。该MOSFET还具备较高的短路耐受能力，进一步增强了其在关键应用中的可靠性。
IXYH75N65C3广泛应用于多种高功率电子系统中，包括但不限于工业电源、不间断电源（UPS）、电机控制、电焊设备、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统。在这些应用中，该MOSFET能够提供高效的电能转换和可靠的开关性能，帮助设计人员实现更高效率和更紧凑的系统设计。
IXFH75N65X2, IRFP4668, SPW47N60CFD7
