时间：2025/4/29 9:30:38
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C1T3是一种常用于开关电源、电机驱动等场景的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低功耗并提高系统效率。C1T3广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：30A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：50nC
总电容：500pF
开关时间：开启延迟时间10ns，上升时间8ns，关断延迟时间20ns，下降时间15ns
C1T3具备以下特点：
1. 高效的低导通电阻设计，有助于减少导通损耗。
2. 快速开关速度，可以支持高频应用场合。
3. 较高的漏极电流能力，适应大功率需求。
4. 具备良好的热稳定性，在高负载情况下性能稳定。
5. 封装形式多样，便于不同应用场景下的安装与散热设计。
C1T3主要适用于以下领域：
1. 开关电源中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率级开关元件。
3. DC-DC转换器中的功率开关。
4. LED照明驱动中的功率管理。
5. 各类工业自动化设备中的功率控制模块。
IRFZ44N
STP30NF06
FDP17N6S
