时间：2025/6/5 13:55:23
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2N7002NT是一种增强型N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于模拟和数字电路中，用于开关和放大功能。2N7002NT因其低导通电阻、快速开关特性和高可靠性而被广泛使用。
其设计使得它在低电压应用中表现优异，例如电池供电设备、信号切换以及负载驱动等场景。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：200mA
最大功耗：340mW
导通电阻：1.8Ω（典型值，当Vgs=10V时）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-92
2N7002NT具有以下显著特性：
1. 增强型器件结构，确保只有在施加正向栅源电压时才导通。
2. 高输入阻抗，减少对控制电路的负载影响。
3. 快速开关速度，适合高频应用。
4. 小尺寸TO-92封装，便于PCB布局。
5. 良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持性能稳定。
6. 符合RoHS标准，环保无铅材料制造。
2N7002NT适用于多种电子电路场景，包括但不限于：
1. 开关电源中的开关元件。
2. 电池供电设备中的负载开关。
3. 数字电路中的逻辑电平转换。
4. 继电器和小型电机驱动。
5. 音频电路中的信号切换。
6. 各种保护电路，如过流保护和短路保护。
7. 在通信设备中用作信号调制与解调的开关元件。
2N7002, BSS103, FDC6572A, PMV20EN
