您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > 2N7002NT

2N7002NT 发布时间 时间:2025/6/5 13:55:23 查看 阅读:8

2N7002NT是一种增强型N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件广泛应用于模拟和数字电路中,用于开关和放大功能。2N7002NT因其低导通电阻、快速开关特性和高可靠性而被广泛使用。
  其设计使得它在低电压应用中表现优异,例如电池供电设备、信号切换以及负载驱动等场景。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  最大漏极电流:200mA
  最大功耗:340mW
  导通电阻:1.8Ω(典型值,当Vgs=10V时)
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:TO-92

特性

2N7002NT具有以下显著特性:
  1. 增强型器件结构,确保只有在施加正向栅源电压时才导通。
  2. 高输入阻抗,减少对控制电路的负载影响。
  3. 快速开关速度,适合高频应用。
  4. 小尺寸TO-92封装,便于PCB布局。
  5. 良好的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持性能稳定。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅材料制造。

应用

2N7002NT适用于多种电子电路场景,包括但不限于:
  1. 开关电源中的开关元件。
  2. 电池供电设备中的负载开关。
  3. 数字电路中的逻辑电平转换。
  4. 继电器和小型电机驱动。
  5. 音频电路中的信号切换。
  6. 各种保护电路,如过流保护和短路保护。
  7. 在通信设备中用作信号调制与解调的开关元件。

替代型号

2N7002, BSS103, FDC6572A, PMV20EN

2N7002NT推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价