2N7002NT是一种增强型N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件广泛应用于模拟和数字电路中,用于开关和放大功能。2N7002NT因其低导通电阻、快速开关特性和高可靠性而被广泛使用。
其设计使得它在低电压应用中表现优异,例如电池供电设备、信号切换以及负载驱动等场景。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
最大漏极电流:200mA
最大功耗:340mW
导通电阻:1.8Ω(典型值,当Vgs=10V时)
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:TO-92
2N7002NT具有以下显著特性:
1. 增强型器件结构,确保只有在施加正向栅源电压时才导通。
2. 高输入阻抗,减少对控制电路的负载影响。
3. 快速开关速度,适合高频应用。
4. 小尺寸TO-92封装,便于PCB布局。
5. 良好的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持性能稳定。
6. 符合RoHS标准,环保无铅材料制造。
2N7002NT适用于多种电子电路场景,包括但不限于:
1. 开关电源中的开关元件。
2. 电池供电设备中的负载开关。
3. 数字电路中的逻辑电平转换。
4. 继电器和小型电机驱动。
5. 音频电路中的信号切换。
6. 各种保护电路,如过流保护和短路保护。
7. 在通信设备中用作信号调制与解调的开关元件。
2N7002, BSS103, FDC6572A, PMV20EN