时间：2025/8/5 16:58:43
阅读：18
IXYH50N65C3D1 是英飞凌（Infineon）生产的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的CoolMOS? C3技术。该器件设计用于高电压和高效率的应用场景，具备较低的导通电阻和优异的开关性能。其封装形式为TO-247，便于散热并适用于大功率应用。IXYH50N65C3D1 主要用于开关电源、逆变器、电机控制以及工业自动化设备等对效率和可靠性要求较高的场合。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：650V
最大漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：约0.125Ω（典型值）
栅极电压(Vgs)：±20V
最大功率耗散(Pd)：180W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXYH50N65C3D1 采用英飞凌先进的CoolMOS? C3技术，使其在高压应用中表现出色。该技术显著降低了导通损耗和开关损耗，提高了整体系统效率。其低导通电阻（Rds(on)）可减少功率损耗，提高能效，适用于高频率开关应用。此外，该MOSFET具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了器件在严苛工作环境下的可靠性。其TO-247封装设计有助于有效散热，确保在高负载条件下的稳定运行。
此外，IXYH50N65C3D1 具备快速恢复的体二极管，有助于减少反向恢复损耗，特别适用于需要频繁开关的电路。该器件还具备良好的热稳定性和抗短路能力，进一步增强了其在工业级应用中的耐用性和安全性。综合来看，IXYH50N65C3D1 是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于多种高压电源和功率转换系统。
IXYH50N65C3D1 主要应用于高功率电源系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC电源模块、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动器以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其具备高效率、低损耗和高可靠性的特点，该器件也广泛用于电动汽车充电设备、LED照明驱动电源以及家电中的电机控制电路。此外，在需要高电压和高电流能力的工业控制系统中，IXYH50N65C3D1 也能提供稳定可靠的性能，满足复杂工况下的运行需求。
IXFH50N65X2D1, IXFK50N65C3D1, IRFP4668, STW43NM60N
