时间：2025/8/24 13:31:34
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RS1G-TR 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用小型 TSMT6 封装，适用于高密度 PCB 设计。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性，广泛应用于电源管理、负载开关、DC-DC 转换器以及便携式电子设备中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：1.5A
导通电阻（Rds(on)）：0.17Ω @ Vgs=4.5V
导通电阻（Rds(on)）：0.23Ω @ Vgs=2.5V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TSMT6（超小型无引脚封装）
RS1G-TR 的主要特性包括低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率，尤其适用于低电压驱动电路。该 MOSFET 支持较高的栅极电压容限（±12V），增强了在复杂电路中的可靠性。
其 TSMT6 封装具备优良的散热性能，适合高密度电路板布局，同时降低了整体方案的尺寸和重量。此外，RS1G-TR 具有良好的热稳定性，即使在高负载条件下也能保持稳定运行，避免因温度升高导致的性能下降。
ROHM 为该产品提供了严格的质量控制和长期供货保障，确保其在工业和消费类应用中的稳定性与耐用性。
RS1G-TR 主要用于各种便携式电子设备中的电源管理电路，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。它也可作为负载开关或 DC-DC 转换器中的关键元件，用于高效能电源转换与调节。
在电池供电系统中，RS1G-TR 凭借其低导通电阻和小封装优势，被广泛应用于提高能效并延长电池寿命。此外，该器件还可用于 LED 驱动电路、传感器接口、电机控制模块以及各类嵌入式系统中，满足多种中低功率应用场景的需求。
RNM1G-TR、FDMS3618、Si2302DS、2N7002K
