时间：2025/8/5 19:07:28
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IXYH40N65B3D1是一款由英飞凌（Infineon）制造的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率开关应用。该器件采用先进的技术设计，具有较低的导通电阻和高效的开关性能，适用于各种电力电子设备，如电源转换器、电机驱动器和工业控制系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：40A
最大漏源电压（VDS）：650V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.18Ω
栅极电荷（Qg）：约98nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
功率耗散（PD）：200W
IXYH40N65B3D1 MOSFET具有多项优异的特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）减少了导通损耗，提高了系统效率。其次，该器件具有高耐压能力，最大漏源电压可达650V，适合用于高电压应用。此外，该MOSFET的高功率耗散能力（200W）使其能够在高负载条件下稳定运行。
该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高开关频率。同时，其TO-247封装形式提供了良好的散热性能，确保在高功率环境下的可靠性。该MOSFET还具备良好的热稳定性，能够在极端温度下保持稳定运行。
IXYH40N65B3D1广泛应用于各种高功率电子设备中，如工业电源、不间断电源（UPS）、电机控制、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统。其高耐压和低导通电阻特性使其成为高效能电源转换系统的理想选择。此外，它还可用于高频开关应用，如DC-DC转换器和PFC（功率因数校正）电路。
IXFH40N65X2D1, IXYH40N65B2D1, IRGP4063D1PBF
