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IXYF30N450 发布时间 时间:2025/8/6 2:37:56 查看 阅读:22

IXYF30N450是一款由Infineon Technologies生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),设计用于高功率开关应用。这款晶体管采用了先进的CoolMOS?技术,使其在高电压和高电流条件下具有优异的性能和效率。IXYF30N450的主要特点包括低导通电阻、高开关速度和高热稳定性。

参数

类型:功率MOSFET
  额定电压:450V
  额定电流:30A
  导通电阻(Rds(on)):典型值为0.15Ω
  封装类型:TO-247
  工作温度范围:-55°C至150°C
  最大功耗:160W
  栅极电荷:典型值为67nC
  输入电容:典型值为1200pF

特性

IXYF30N450 MOSFET的特性之一是其低导通电阻,这使得在导通状态下功耗更低,效率更高。此外,该器件具有优异的热性能,能够在高温环境下稳定工作。
  另一个重要特性是其高开关速度,这使得IXYF30N450适用于高频开关应用,从而减少了外部元件的尺寸和成本。该器件的栅极电荷较低,有助于减少开关损耗。
  IXYF30N450还具有高雪崩能量耐受能力,这意味着它在过载或短路条件下具有良好的可靠性。其封装设计允许良好的散热性能,适用于需要高功率密度的应用。
  此外,该MOSFET具有良好的短路耐受能力,能够在短时间内承受较高的电流而不损坏。这种特性使其在电机驱动、电源转换和工业自动化等应用中表现优异。

应用

IXYF30N450广泛应用于各种高功率电子设备中,如开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、电机驱动器和工业控制系统。在开关电源中,该器件的高效率和低导通电阻特性使其成为理想选择。
  在电机驱动应用中,IXYF30N450的高电流能力和良好的短路耐受性能确保了系统的稳定性和可靠性。此外,该MOSFET还可用于太阳能逆变器和电池充电器等可再生能源系统。
  由于其高开关速度和低功耗特性,IXYF30N450也常用于高频逆变器和LED照明驱动电路。在这些应用中,该器件能够提供高效率和长寿命,满足现代电子设备对能效和可靠性的要求。
  最后,IXYF30N450的高可靠性和热稳定性使其适用于需要长时间运行的工业设备和自动化系统,确保设备在恶劣环境下仍能正常工作。

替代型号

IPW60R045C7, STF30N45DM2, FDP30N450

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IXYF30N450参数

  • 现有数量107现货
  • 价格1 : ¥1,007.09000管件
  • 系列XPT?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)4500 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)23 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)190 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)3.9V @ 15V,30A
  • 功率 - 最大值230 W
  • 开关能量-
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷88 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值38ns/168ns
  • 测试条件960V,30A,15 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳ISOPLUSi5-Pak?
  • 供应商器件封装ISOPLUS i4-PAC?