时间：2025/5/16 17:48:53
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DMN67D8LT是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。DMN67D8LT适用于需要高效能功率转换的场景，广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制等领域。
该器件采用DFN3030-10封装形式，体积小巧，适合空间受限的设计。它具有较低的栅极电荷和输出电容，能够显著降低开关损耗，从而提高系统效率。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：5.4A
导通电阻（Rds(on)）：2.9mΩ
栅极电荷：8.8nC
总电容：740pF
工作结温范围：-55℃至175℃
DMN67D8LT具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 高开关速度设计，适用于高频应用。
3. 小型DFN3030-10封装，节省PCB空间。
4. 支持高温操作，最高结温可达175℃。
5. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
6. 内置ESD保护，增强可靠性。
DMN67D8LT适合多种应用场合，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器和降压/升压转换器。
3. 电池管理系统（BMS）中的负载开关。
4. 电机驱动和逆变器电路。
5. 消费类电子产品的电源管理模块。
6. 工业自动化设备中的信号切换和保护电路。
DMN67D8LTTQ, DMN67D8LTRQ
