类型：肖特基二极管
　　封装/外壳：SOD-123FL
　　是否无铅：是
　　是否符合RoHS：是
　　最大重复反向电压（VRRM）：40V
　　平均整流电流（IO）：1A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：25A（8.3ms半正弦波）
　　最大正向压降（VF）：480mV @ 1A, 1MHz
　　最大反向漏电流（IR）：200μA @ 40V, 25°C
　　工作结温范围（TJ）：-65°C ~ +125°C
　　储存温度范围（TSTG）：-65°C ~ +150°C
　　反向恢复时间（trr）：典型值5ns

1N5819G-CA2-R的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构，使得该二极管具有非常低的正向导通压降，在1A电流下仅为480mV左右，远低于传统硅PN结二极管的约700~1000mV水平。这种低VF特性直接降低了导通期间的能量损耗，提高了整体电源系统的转换效率，尤其适用于电池供电或对能效敏感的应用场合。同时，由于没有少数载流子存储效应，该器件具备极快的开关速度，反向恢复时间trr典型值仅为5ns，这意味着它可以在高频开关环境下迅速响应，避免因延迟关断导致的交叉导通和能量浪费问题。
　　该器件的最大重复反向电压为40V，适合用于低压直流电路中的整流与保护功能，例如在5V至24V系统中作为续流二极管使用。其额定平均整流电流可达1A，能够承受高达25A的非重复浪涌电流（8.3ms半正弦波），表现出较强的瞬态过载能力，增强了在突发负载或启动冲击下的可靠性。SOD-123FL封装体积小巧，尺寸约为2.7mm x 1.8mm x 1.1mm，适合自动化贴片生产，节省PCB空间，满足现代电子产品小型化趋势。
　　热性能方面，1N5819G-CA2-R的工作结温范围为-65°C至+125°C，可在较宽的环境温度范围内稳定运行。器件还具备良好的热传导设计，有助于热量从芯片有效传递到PCB，延长使用寿命。此外，产品通过AEC-Q101车规级可靠性测试的部分验证，虽非完全车规型号，但在工业级和部分车载辅助电源中也有应用潜力。其低漏电流特性（最大200μA @ 40V）减少了待机状态下的功耗，进一步优化了系统能耗表现。

1N5819G-CA2-R广泛应用于多种电力电子领域，尤其是在需要高效能、小尺寸和高频操作的场合。常见用途包括开关模式电源（SMPS）中的输出整流二极管，特别是在反激式或降压型拓扑中，用于将高频交流脉冲转换为稳定的直流输出。由于其低正向压降和快速响应能力，也常被用作DC-DC转换器中的续流二极管（Flyback Diode），防止电感反电动势损坏主控IC或MOSFET。在电池充电管理电路中，该器件可用于防止电流倒灌，起到单向导通和极性反接保护的作用。
　　此外，该二极管适用于各类适配器、USB供电设备、LED驱动电源、便携式电子设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备的内部电源路径管理。在太阳能充电控制器、小型逆变器和UPS不间断电源系统中，也可作为防逆流二极管使用，确保能量只能单向流动。由于其具备一定的浪涌承受能力，还能在电机驱动或继电器线圈释放过程中吸收感应电压尖峰，保护后续电路元件。在通信设备和网络模块的电源模块中，1N5819G-CA2-R因其高可靠性和稳定性也被广泛采用。总的来说，凡是涉及低压直流、高效率、紧凑布局和快速开关需求的场景，都是该器件的理想应用领域。

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　　 "1N5819WS",
　　 "SB140",
　　 "MBR140",
　　 "SS14",
　　 "BAT54C"
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