类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：5A
　　功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　导通电阻（RDS(on)）：约2.5Ω（最大值）
　　栅极电荷（Qg）：约13nC
　　输入电容（Ciss）：约700pF

KIA5N60EP是一款性能稳定的N沟道MOSFET，其主要优势体现在高耐压和良好的导通性能上。该器件的漏源击穿电压高达600V，能够适应高压环境下的工作需求。其导通电阻（RDS(on)）在最大条件下约为2.5Ω，确保在工作过程中能有效降低功率损耗，提高系统效率。
　　此外，KIA5N60EP具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其TO-220封装设计不仅提供了良好的散热能力，也便于在各种电路板上的安装和维护。该MOSFET还具备较强的抗过载能力，可在短时间内承受较高的电流和功率冲击，适用于多种电源和功率控制应用。
　　KIA5N60EP的栅极驱动特性较为理想，输入电容较低，有利于提高开关速度并降低驱动损耗。其栅极电荷约为13nC，使得在高频开关应用中能够保持较高的效率。此外，该器件具备较低的漏电流，确保在关断状态下的功耗控制在合理范围内。

KIA5N60EP广泛应用于多种电源管理系统和功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、逆变器、UPS不间断电源、电机驱动控制以及LED照明驱动电路。由于其具备较高的耐压能力和良好的导通特性，KIA5N60EP也非常适用于工业自动化控制、家电电源模块及小型电源适配器等场景。

KIA5N60P KSC5N60 K2645 5N60