时间：2025/8/6 5:13:39
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IXXK100N60B3H1 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关和电力电子应用。该器件具有优异的导通和开关性能，适合用于工业电源、电机控制、太阳能逆变器等高功率需求的电路中。IXXK100N60B3H1 采用 TO-247 封装，具有良好的散热性能和高可靠性。
类型: N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）: 600V
最大漏极电流（Id）: 100A（在 Tc=25°C 下）
导通电阻（Rds(on)）: 65mΩ（最大值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）: 2.0V 至 4.0V
最大功率耗散（Ptot）: 300W
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
封装: TO-247
IXXK100N60B3H1 的主要特性包括低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗并提高系统效率。其高耐压能力和大电流容量使其适用于高功率密度设计。此外，该 MOSFET 提供了快速的开关性能，减少了开关损耗，提高了整体系统的响应速度。TO-247 封装设计确保了良好的热管理和机械稳定性，适用于严苛的工作环境。该器件还具有出色的短路耐受能力，增强了系统的可靠性。
另一个显著特点是其栅极驱动的兼容性，IXXK100N60B3H1 可以轻松与标准的 MOSFET 驱动器配合使用，简化了电路设计和集成。此外，该器件符合 RoHS 环保标准，适合用于现代绿色电子设备的设计中。
IXXK100N60B3H1 被广泛应用于各种高功率电子系统中，包括工业电源、直流电机驱动、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及电焊机等。其优异的导通和开关性能也使其适用于高频开关电源和功率因数校正（PFC）电路。此外，该 MOSFET 还常用于电动汽车充电系统和储能系统中的功率转换模块。由于其高可靠性和耐用性，IXXK100N60B3H1 也适用于需要长时间连续运行的工业自动化设备和高功率 LED 照明控制系统。
IXXK100N60B4, IXFN100N60P, IRFP4668
