时间：2025/8/8 20:56:31
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FGW50N60WQ-S31PPSC-P2 是一款由富士电机（Fuji Electric）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于高性能功率开关器件，广泛用于各种高功率和高频率应用。该器件采用了先进的硅技术，具备高耐压、大电流能力和较低的导通损耗。其封装设计符合行业标准，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：600V
漏极-栅极电压（Vdg）：600V
栅极-源极电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：50A
功耗（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-247
FGW50N60WQ-S31PPSC-P2 MOSFET具有多项显著的性能优势，首先是其高耐压能力，漏极-源极电压额定值达到600V，使其适用于中高功率转换系统，如电源供应器、变频器和电机驱动器等。其次，该器件的连续漏极电流为50A，能够支持大电流负载，同时具备较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少导通损耗，提高系统效率。
此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围为±30V，具有良好的栅极绝缘性能，确保在复杂电磁环境中稳定工作。其TO-247封装结构具有良好的热性能，便于与散热器连接，确保长时间运行时的稳定性。
该器件还具备快速开关特性，减少了开关损耗，适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用。同时，其热阻低，能够有效散热，避免因过热导致的失效，提高了整体系统的可靠性和寿命。
FGW50N60WQ-S31PPSC-P2 MOSFET广泛应用于多种电力电子系统中，包括但不限于开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、电机驱动器、工业自动化设备以及电动车充电系统。其高耐压、大电流能力及低导通损耗特性，使其在高效率和高功率密度的电源转换系统中表现出色。
在开关电源中，该MOSFET可作为主功率开关，用于高频率的DC-AC或DC-DC转换，提升电源转换效率并减小系统体积。在工业电机控制中，它可作为逆变器桥式结构中的关键元件，实现对电机的高效调速和控制。
此外，该器件也适用于新能源系统，如太阳能逆变器和风能变流器，能够承受高电压和大电流的工况，确保系统稳定运行。在电动车充电设备中，它可作为高频开关元件，提高充电效率并降低能耗。
FGW50N60WQ, FGW50N60W, IXFN50N60P, STW55NM60ND
