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IXXH60N65B4 发布时间 时间:2025/8/6 8:36:50 查看 阅读:28

IXXH60N65B4 是由 Infineon Technologies 生产的一款高电压、高电流能力的 N 沟道 IGBT(绝缘栅双极晶体管),主要用于功率转换和控制应用。该器件结合了 MOSFET 的高输入阻抗特性和双极晶体管的低导通压降特性,使其在高功率应用中具有优异的性能表现。

参数

类型:N沟道 IGBT
  最大集电极-发射极电压(VCES):650 V
  最大集电极电流(IC):120 A(在 Tc=25°C)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  短路耐受能力:有
  栅极阈值电压(VGE(th)):约 5.5 V
  短路电流能力:典型值为 240 A
  导通压降(VCE_sat):约 1.8 V(在 IC=60 A, VGE=15 V)
  封装形式:TO-247

特性

IXXH60N65B4 具备出色的热稳定性和电性能,使其在高功率密度设计中表现优异。
  首先,该 IGBT 的最大集电极-发射极电压为 650 V,能够满足多种高电压应用场景的需求,同时其最大集电极电流可达 120 A,在高温环境下也能保持良好的导电性能。这种高电流承载能力使其适用于需要频繁切换的大功率系统,例如电源逆变器、电机驱动和 UPS 系统等。
  其次,该器件的导通压降(VCE_sat)约为 1.8 V,在额定工作条件下具有较低的导通损耗,从而提高了整体系统的能效。此外,IXXH60N65B4 具备较强的短路耐受能力,能够承受高达 240 A 的短路电流,这在电机启动或负载突变的情况下尤为重要,有效提高了系统的可靠性和安全性。
  最后,该 IGBT 采用 TO-247 封装,具有良好的散热性能,适合高功率密度设计,同时简化了 PCB 布局和散热器安装。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,适用于各种恶劣工作环境。

应用

IXXH60N65B4 主要应用于高功率电子设备中,包括但不限于以下领域:
  1. **电源逆变器**:适用于太阳能逆变器、风能转换系统和储能逆变器等可再生能源系统中,提供高效的能量转换。
  2. **电机驱动系统**:用于工业电机控制、电动汽车电机控制器等应用,实现高效率、高稳定性的电机控制。
  3. **不间断电源(UPS)**:在 UPS 系统中作为主功率开关,提供快速切换和稳定输出。
  4. **感应加热设备**:如电磁炉、高频加热器等,利用 IGBT 的高速开关特性提高加热效率。
  5. **电力电子变换器**:包括 DC-DC 转换器、AC-DC 整流器等,用于工业自动化和电力传输系统。
  由于其优异的导电性能和高可靠性,IXXH60N65B4 也常用于各种高频开关电源和功率因数校正(PFC)电路中。

替代型号

IXGH60N65B4, IXYH60N65B4, FGA60N65SMD

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IXXH60N65B4参数

  • 现有数量6现货630Factory
  • 价格1 : ¥65.67000管件
  • 系列GenX4?, XPT?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • IGBT 类型PT
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)116 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)250 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)2V @ 15V,60A
  • 功率 - 最大值455 W
  • 开关能量3.13mJ(开),1.15mJ(关)
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷95 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值37ns/145ns
  • 测试条件400V,60A,5 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商器件封装TO-247AD(IXXH)