型号：2SK2091
　　极性：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：500 V
　　最大漏极电流（Id）：7 A
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：28 A
　　最大功耗（Ptot）：150 W
　　导通电阻（Rds(on)）：0.6 Ω（典型值，Vgs = 10 V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：4 V（最小值），5 V（典型值）
　　栅极阈值电压测试条件：Vds = 10 V, Id = 1 mA
　　输入电容（Ciss）：1300 pF（典型值，Vds = 25 V）
　　输出电容（Coss）：190 pF（典型值）
　　反向传输电容（Crss）：50 pF（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：50 nC（典型值，Vds = 400 V）
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围：-55 °C 至 +150 °C
　　封装类型：TO-220

2SK2091具备多项优异的电气与热性能特性，使其成为中高功率开关电源中的理想选择。首先，其高达500V的最大漏源电压允许器件在高压环境下安全运行，适用于AC-DC转换器中整流后的母线电压等级。这一耐压能力确保了在市电波动或瞬态浪涌情况下仍能保持稳定工作，提升了系统的安全性与可靠性。
　　其次，该MOSFET的导通电阻典型值为0.6Ω，在同类器件中处于较优水平。低Rds(on)意味着在导通状态下产生的I2R损耗较小，从而显著降低温升并提高电源转换效率。这对于追求高能效和小型化设计的应用尤为重要，例如适配器、充电器和LED驱动电源。
　　再者，2SK2091具有较低的栅极电荷（Qg = 50nC），这直接关系到驱动电路所需的能量和开关速度。低Qg使得MOSFET可以在较高频率下快速开启和关断，减少了开关过渡时间内的功率损耗，进而提升整体系统的动态响应能力和效率。同时，输入电容和反向传输电容也控制在合理范围内，有助于抑制噪声耦合并改善EMI表现。
　　此外，该器件具备良好的热稳定性，TO-220封装提供了较大的散热面积，可通过外接散热片进一步增强散热能力。其最大功耗可达150W，结合较低的热阻特性，能够在持续负载条件下维持较低的工作结温，延长使用寿命。
　　最后，2SK2091经过优化设计，具备一定的抗雪崩击穿能力，能够在非钳位感性开关测试（UIS）中承受一定程度的能量冲击，增强了在异常工况下的耐用性。这些综合特性使2SK2091在工业电源、消费类电子产品及照明系统中表现出色。

2SK2091广泛应用于各类中等功率的开关模式电源（SMPS）系统中，尤其适合反激式（Flyback）、正激式（Forward）以及推挽式（Push-Pull）拓扑结构。在这些电路中，它通常作为主开关元件连接在变压器初级侧，负责将直流电压周期性地施加到变压器上以实现能量传递。由于其具备500V的耐压能力和7A的连续漏极电流承载能力，因此可支持从几十瓦到数百瓦的输出功率范围，适用于电视机、显示器、打印机等家用电器和办公设备的内置电源模块。
　　此外，该器件也常用于DC-DC升压或降压转换器中，特别是在需要隔离或非隔离高压输入的场合。例如，在太阳能逆变器的前级升压电路、工业控制电源、通信设备供电单元中，2SK2091能够提供高效且稳定的功率切换功能。
　　在LED照明领域，尤其是大功率LED驱动电源中，2SK2091可用于构建恒流源拓扑，通过PWM调光方式精确控制输出电流。其快速开关特性和低导通损耗有助于提升驱动器的整体效率，并满足节能标准要求。
　　同时，该MOSFET也可用于电机驱动、电焊机、UPS不间断电源等工业设备中，作为功率开关元件参与能量调控。得益于其坚固的封装结构和宽泛的工作温度范围，2SK2091能在恶劣环境条件下长期稳定运行，展现出较强的适应性和可靠性。

2SK2092, 2SK2542, 2SK2640, STP7NK50ZFP, FQP7N50, IRFBC40