F21021DC 是一款由 Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件主要用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和马达控制等应用。F21021DC 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高效率的特性,适合在高频率开关应用中使用。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):20V
栅源电压(Vgs):±12V
连续漏极电流(Id):6A
导通电阻(Rds(on)):21mΩ @ Vgs = 10V
功率耗散(Pd):2W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装类型:DFN3x3
F21021DC 具备多项优良特性,使其在众多电源管理应用中表现出色。首先,其低导通电阻(21mΩ)有助于降低导通损耗,提高系统效率。其次,该器件支持高达6A的连续漏极电流,适用于中高功率应用。其20V的漏源电压额定值提供了良好的电压耐受能力,适合在低压DC-DC转换器中使用。
此外,F21021DC采用DFN3x3封装,具有较小的封装尺寸和良好的热性能,有助于在高密度PCB设计中节省空间。该封装还具备良好的散热能力,确保在高负载条件下仍能稳定工作。
该MOSFET的栅源电压额定值为±12V,支持广泛的栅极驱动电压范围,适用于多种驱动电路设计。其工作温度范围为-55°C至+150°C,能够在严苛的环境条件下稳定运行,适用于工业级和汽车电子应用。
F21021DC 常用于多种电源管理与功率控制应用中。常见的应用包括同步整流、负载开关、电池管理系统、DC-DC降压/升压转换器以及电机驱动电路。由于其低导通电阻和高电流能力,该器件特别适合用于需要高效能和小尺寸设计的便携式电子设备,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和电源适配器。
在汽车电子系统中,F21021DC 可用于车载充电器、LED照明驱动、电动助力转向系统(EPS)以及电池管理系统(BMS)等应用。其优异的热性能和宽工作温度范围使其在高温和高湿度环境下仍能稳定运行。
FDMS3610
FDMS3618
FDS6680
Si4410BDY