时间：2025/8/6 9:47:31
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IXXH50N60B3D1是一种N沟道功率MOSFET，广泛用于需要高效率和高性能的电力电子系统中。这款MOSFET由IXYS公司制造，具备高耐压、低导通电阻和优良的热性能。
最大漏极电压(Vdss)：600V
最大漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rdson)：0.19Ω
最大功耗(Pd)：200W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXXH50N60B3D1具备低导通电阻，这使得器件在导通状态下具有较低的功率损耗，提高了整体系统的效率。此外，该MOSFET的高耐压能力（600V）使其非常适合用于高电压应用场景。其TO-247封装提供了良好的散热性能，有助于维持器件在高负载条件下的稳定运行。这款MOSFET还具有快速开关特性，减少了开关损耗，并支持高频操作，从而可以使用更小的外围元件。此外，IXXH50N60B3D1在极端温度条件下仍能保持可靠的工作性能，适用于各种恶劣环境。
IXXH50N60B3D1常用于电源转换器、DC-AC逆变器、电机驱动器、开关电源（SMPS）以及工业自动化设备中。由于其高性能特性，它也适合用于太阳能逆变器、电动车充电系统和电能质量调节设备。
IXFH50N60P3, IXGN50N60B3D1
